Ахбор

Монеаҳои техникӣ ба карбиди кремний кадомҳоянд?Ⅱ
аз тарафи админ 24-05-22
Мушкилоти техникӣ дар истеҳсоли мӯътадил вафли карбиди кремнийи баландсифат бо иҷрои устувор иборатанд аз: 1) Азбаски кристаллҳо бояд дар муҳити мӯҳршудаи ҳарорати баланд аз 2000 ° C афзоиш ёбанд, талаботи назорати ҳарорат хеле баланд аст; 2) Азбаски карбиди кремний дорои бештар аст...
Бештар
Монеаҳои техникӣ ба карбиди кремний кадомҳоянд?
аз тарафи админ 24-05-22
Насли якуми маводи нимноқилро кремнийи анъанавӣ (Si) ва германий (Ge) муаррифӣ мекунанд, ки асоси истеҳсоли микросхемаҳои интегралӣ мебошанд. Онҳо дар транзисторҳо ва детекторҳои пастшиддат, басомади паст ва камиқтидор васеъ истифода мешаванд. Зиёда аз 90% маҳсулоти нимноқил...
Бештар
Чӣ тавр хокаи micro SiC сохта мешавад?
аз тарафи админ 24-05-13
Монкристалл SiC як маводи нимноқилҳои пайвастаи Гурӯҳи IV-IV мебошад, ки аз ду элемент, Si ва C, бо таносуби стехиометрии 1:1 иборат аст. Сахтии он пас аз алмос дуюм аст. Усули коҳиши карбон аз оксиди кремний барои омода кардани SiC асосан ба формулаи реаксияи химиявии зерин асос ёфтааст ...
Бештар
Чӣ тавр қабатҳои эпитаксиалӣ ба дастгоҳҳои нимноқил кӯмак мекунанд?
аз тарафи админ 24-05-13
Пайдоиши номи вафли эпитаксиалӣ Аввалан, биёед як мафҳуми хурдро маъмул созем: тайёр кардани вафли ду пайванди асосиро дар бар мегирад: омодасозии субстрат ва раванди эпитаксиалӣ. Субстрат вафлиест, ки аз маводи монокристалии нимноқил сохта шудааст. Субстрат метавонад бевосита ба истеҳсоли вафли ворид шавад...
Бештар
Муқаддима ба технологияи таҳшинсозии буғи кимиёвӣ (CVD).
аз ҷониби администратор дар 24-05-06
Ҷойгиркунии буғҳои кимиёвӣ (CVD) як технологияи муҳими гузоштани филми тунук аст, ки аксар вақт барои тайёр кардани филмҳои гуногуни функсионалӣ ва маводи қабати тунук истифода мешавад ва дар истеҳсоли нимноқилҳо ва дигар соҳаҳо васеъ истифода мешавад. 1. Принсипи кори CVD Дар раванди CVD прекурсори газ (як ё мо...
Бештар
Сирри "тиллои сиёҳ" дар паси саноати нимноқилҳои фотоэлектрикӣ: хоҳиш ва вобастагӣ аз графити изостатикӣ
аз ҷониби администратор дар 24-05-06
Графити изостатикӣ маводи хеле муҳим дар фотоэлектрикҳо ва нимноқилҳо мебошад. Баробари афзоиши босуръати ширкатхои ватании изостатикии графит монополияи фирмахои хоричй дар Хитой бархам хурд. Бо тадқиқот ва рушди доимии мустақил ва пешрафтҳои технологӣ, ...
Бештар
Ошкор кардани хусусиятҳои асосии қаиқҳои графитӣ дар истеҳсоли сафоли нимноқилҳо
аз тарафи админ 24-04-22
Киштиҳои графитӣ, ки бо номи қаиқҳои графитӣ низ маъруфанд, дар равандҳои мураккаби истеҳсоли сафоли нимноқилҳо нақши ҳалкунанда мебозанд. Ин зарфҳои махсусгардонидашуда ҳамчун интиқолдиҳандаи боэътимоди вафли нимноқилӣ ҳангоми коркарди ҳарорати баланд хидмат мекунанд ва коркарди дақиқ ва назоратшавандаро таъмин мекунанд. Бо ...
Бештар
Сохти дохилии тачхизоти трубахои печьхо муфассал шарх дода шудааст
аз тарафи админ 24-04-22
Тавре ки дар боло нишон дода шудааст, як хос аст Нимаи аввал: Элементи гармидиҳӣ (coil гармидиҳӣ) : воқеъ дар атрофи найчаи кӯраи, одатан аз симҳои муқовимат дод, истифода бурда мешавад барои гарм кардани дохили найи кӯраи. Tube кварц: ядрои кӯраи оксидшавии гарм, ки аз кварси тозаи баланд сохта шудааст, ки метавонад ба ҳарорати баланд тобовар бошад ...
Бештар
Таъсири субстрати SiC ва маводи эпитаксиалӣ ба хусусиятҳои дастгоҳи MOSFET
аз ҷониби администратор дар 24-04-16
Камбудии секунҷа Камбудиҳои секунҷаи марговартарин нуқсонҳои морфологии қабатҳои эпитаксиалии SiC мебошанд. Шумораи зиёди гузоришҳои адабиёт нишон доданд, ки ташаккули нуқсонҳои секунҷа ба шакли кристалл 3C алоқаманд аст. Бо вуҷуди ин, аз сабаби механизмҳои гуногуни афзоиш, морфологияи бисёр тр...
Бештар