Сарпӯши sic чист? – ЭНЕРГИЯИ ВЕТ

Карбиди кремнийяк пайвастагии сахтест, ки дар таркибаш кремний ва карбон дорад ва дар табиат ҳамчун минерали моиссанит хеле нодир вомехӯрад. Зарраҳои карбиди кремнийро бо роҳи синтеризатсия пайваст кардан мумкин аст, то сафолҳои хеле сахтро ба вуҷуд оранд, ки онҳо дар барномаҳое, ки устувории баландро талаб мекунанд, махсусан дар ҷараёни нимноқилҳо васеъ истифода мешаванд.

Сохтори физикии SiC

SiC Coating чист?

Кабати SiC як қабати зиччи ба фарсудашавии кремнийи карбиди бо муқовимати зангзанӣ ва гармии баланд ва гузариши аълои гармӣ мебошад. Ин рӯйпӯши баландсифати SiC пеш аз ҳама дар саноати нимноқилҳо ва электроника барои муҳофизат кардани боркашонҳо, пойгоҳҳо ва унсурҳои гармидиҳӣ аз муҳити зангзананда ва реактивӣ истифода мешавад. Сарпӯши SiC инчунин барои печҳои вакуумӣ ва гармкунии намуна дар муҳити баланд вакууми, реактивӣ ва оксиген мувофиқ аст.

Сатҳи қабати SiC тозагии баланд

Раванди пӯшонидани SiC чист?

Бо истифода аз қабати тунуки карбиди кремний дар рӯи субстрат гузошта мешавадCVD (таҳвили буғи кимиёвӣ). Ҷойгиркунӣ одатан дар ҳарорати 1200-1300 ° C анҷом дода мешавад ва рафтори васеъшавии гармии маводи зерсохт бояд бо қабати SiC мувофиқ бошад, то фишори гармиро ба ҳадди ақал расонад.

CVD КДИ FILM СОХТОРИ кристаллӣ

CVD КДИ молидани FILM СОХТОРИ кристаллӣ

Хусусиятҳои физикии рӯйпӯши SiC асосан дар муқовимат ба ҳарорати баланд, сахтӣ, муқовимат ба зангзанӣ ва гузариши гармӣ инъикос меёбанд.

Параметрҳои физикии маъмулӣ одатан чунинанд:

Сахтӣ: Сарпӯши SiC маъмулан сахтии Vickers дар доираи 2000-2500 HV дорад, ки ба онҳо дар барномаҳои саноатӣ муқовимат ба фарсудашавӣ ва таъсири хеле баланд медиҳад.

Зичии: Сарпӯшҳои SiC одатан зичии 3,1-3,2 г/см³ доранд. Зичии баланд ба қувваи механикӣ ва устувории рӯйпӯш мусоидат мекунад.

Қобилияти гармидиҳӣ: Сарпӯшҳои SiC дорои қобилияти баланди гармӣ мебошанд, маъмулан дар ҳудуди 120-200 Вт/мК (дар 20°С). Ин ба он гармии хуби гармиро дар муҳити ҳарорати баланд медиҳад ва онро махсусан барои таҷҳизоти коркарди гармӣ дар саноати нимноқилҳо мувофиқ мекунад.

Нуқтаи обшавӣ: карбиди кремний нуқтаи обшавии тақрибан 2730°C дорад ва дар ҳароратҳои шадид устувории хуби гармӣ дорад.

Коэффисиенти васеъшавии гармӣ: Сарпӯшҳои SiC дорои коэффисиенти пасти хаттии васеъшавии гармӣ (CTE), маъмулан дар ҳудуди 4,0-4,5 мкм/мК (дар 25-1000℃) мебошанд. Ин маънои онро дорад, ки устувории андозагирии он дар фарқиятҳои калони ҳарорат аъло аст.

Муқовимат ба зангзанӣ: Сарпӯшҳои SiC ба зангзанӣ дар муҳити сахт, сілтӣ ва оксидкунанда хеле тобоваранд, хусусан ҳангоми истифодаи кислотаҳои қавӣ (ба монанди HF ё HCl), муқовимат ба зангзании онҳо аз маводи металлии анъанавӣ хеле зиёд аст.

Қабати SiC метавонад ба маводҳои зерин татбиқ карда шавад:

Графити изостатикии тозагии баланд (CTE паст)
Вольфрам
Молибден
Карбиди кремний
Нитриди кремний
Композитҳои карбон-карбон (CFC)

Маҳсулоти SiC-и пӯшида одатан дар соҳаҳои зерин истифода мешаванд:

Истеҳсоли чипи LED
Истеҳсоли полисиликон
нимноқилафзоиши кристалл
Силикон ваЭпитаксияи SiC
Муолиҷаи гармии вафли ва абрешим

Чаро VET Energy-ро интихоб кунед?

VET Energy як истеҳсолкунандаи пешбар, навовар ва пешвои маҳсулоти молидани SiC дар Чин мебошад, маҳсулоти асосии молидани SiC иборатандинтиқолдиҳандаи вафли бо рӯйпӯши SiC, SiC пӯшонида шудаастҳассосияти эпитаксиалӣ, Ҳалқаи графитӣ бо SiC, Қисмҳои ниммоҳ бо рӯйпӯши SiC, Композитсияи карбон-карбон бо SiC пӯшонида шудааст, Киштии вафли бо қабати SiC, Гармкунаки бо SiC пӯшидашуда, ва ғайра. VET Energy ӯҳдадор аст, ки саноати нимноқилҳоро бо технологияи ниҳоӣ ва ҳалли маҳсулот таъмин кунад ва хидматрасонии фармоиширо дастгирӣ кунад. Мо самимона умедворем, ки шарики дарозмуддати шумо дар Чин бошем.