Вести

Увод у трећу генерацију полупроводника ГаН и сродну епитаксијалну технологију
од администратора 24-06-25
1. Полупроводници треће генерације Технологија полупроводника прве генерације развијена је на основу полупроводничких материјала као што су Си и Ге. То је материјална основа за развој транзистора и технологије интегрисаних кола. Полупроводнички материјали прве генерације поставили су ...
Прочитајте више
Студија нумеричке симулације о утицају порозног графита на раст кристала силицијум карбида
од администратора 24-06-18
Основни процес раста кристала СиЦ подељен је на сублимацију и разградњу сировина на високој температури, транспорт супстанци гасне фазе под дејством температурног градијента и рекристализациони раст супстанци гасне фазе на кристалу семена. На основу овога, ...
Прочитајте више
Врсте специјалног графита
од администратора 24-06-17
Специјални графит је графитни материјал високе чистоће, високе густине и високе чврстоће и има одличну отпорност на корозију, високу температурну стабилност и велику електричну проводљивост. Израђен је од природног или вештачког графита након топлотне обраде на високим температурама и обраде под високим притиском...
Прочитајте више
Анализа опреме за таложење танког филма – принципи и примена ПЕЦВД/ЛПЦВД/АЛД опреме
од администратора 24-06-12
Таложење танког филма је облагање слоја филма на главном супстратном материјалу полупроводника. Овај филм може бити направљен од различитих материјала, као што су изолациона смеша силицијум диоксид, полупроводнички полисилицијум, метални бакар, итд. Опрема која се користи за премазивање назива се таложење танког филма...
Прочитајте више
Важни материјали који одређују квалитет раста монокристалног силицијума – топлотно поље
од администратора 24-06-12
Процес раста монокристалног силицијума се у потпуности одвија у термичком пољу. Добро топлотно поље погодује побољшању квалитета кристала и има већу ефикасност кристализације. Дизајн топлотног поља у великој мери одређује промене у температурним градијентима...
Прочитајте више
Које су техничке потешкоће пећи за раст кристала силицијум карбида?
од администратора 24-06-07
Пећ за раст кристала је основна опрема за раст кристала силицијум карбида. Слична је традиционалној пећи за раст кристала од кристалног силицијума. Структура пећи није много компликована. Углавном се састоји од тела пећи, система грејања, механизма преноса завојнице...
Прочитајте више
Који су дефекти епитаксијалног слоја силицијум карбида
од администратора 24-06-05
Основна технологија за раст СиЦ епитаксијалних материјала је прво технологија контроле дефекта, посебно за технологију контроле дефекта која је склона квару уређаја или деградацији поузданости. Проучавање механизма дефекта супстрата који се протеже у епи...
Прочитајте више
Оксидирано стојеће зрно и технологија епитаксијалног раста-Ⅱ
од администратора 24-05-30
3. Епитаксијални раст танког филма Подлога обезбеђује физички слој потпоре или проводни слој за Га2О3 енергетске уређаје. Следећи важан слој је слој канала или епитаксијални слој који се користи за отпор напона и транспорт носиоца. Да би се повећао напон пробоја и минимизирао провод...
Прочитајте више
Монокристал галијум оксида и технологија епитаксијалног раста
од администратора 24-05-30
Полупроводници са широким појасом (ВБГ) представљени силицијум карбидом (СиЦ) и галијум нитридом (ГаН) добили су широку пажњу. Људи имају велика очекивања за изгледе за примену силицијум карбида у електричним возилима и електричним мрежама, као и за изгледе примене галијума...
Прочитајте више