Silicon carbide wafer va'a o se masini e ave ai uta mo wafers, e masani ona fa'aaogaina i le la ma le semiconductor diffusion process. O loʻo i ai uiga e pei o le faʻaogaina o le ofuina, teteʻe o le corrosion, teteʻe o le aʻafiaga o le vevela, teteʻe i le osofaʻiga o le plasma, le maualuga o le vevela, le maualuga o le vevela, le vevela vevela, ma le faʻaaogaina umi e le faigofie ona punou ma faʻaleagaina. O lo'o fa'aogaina e le matou kamupani meafaitino silicon carbide maualuga e fa'amautinoa ai le ola tautua ma tu'uina atu mamanu fa'apitoa, e aofia ai va'a va'a fa'alava ma fa'alava.
Pepa Fa'amaumauga o Mea
| 材料Mea | R-SiC |
| 使用温度vevela galue (°C) | 1600°C ( 氧化气氛Oxidizing environment)1700°C ( 还原气氛Reducing environment) |
| SiC含量SiC anotusi (%) | > 99 |
| 自由Si 含量 Free Si anotusi (%) | <0.1 |
| 体积密度Tele tele (g/cm3) | 2.60-2.70 |
| 气孔率Fa'aaliga manino (%) | < 16 |
| 抗压强度Malosi tu'imomomo (MPa) | > 600 |
| 常温抗弯强度Malosi o le punou malulu (MPa) | 80-90 (20°C) |
| 高温抗弯强度Malosi o le pi'o vevela (MPa) | 90-100 (1400°C) |
| 热膨胀系数 Fa'ateleina fa'aavela @1500°C (10-6/°C) | 4.70 |
| 导热系数Fa'avevela vevela @1200°C (W/m•K) | 23 |
| 杨氏模量Fa'ato'a fa'ama'i (GPa) | 240 |
| 抗热震性Tete'e te'i vevela | 很好Lelei tele |
Ningbo VET Malosiaga Tekonolosi Co., Ltdo se atinaʻe faʻatekonolosi maualuga e taulaʻi i le gaosiga ma le faʻatau atu o mea maualuga maualuga, meafaitino ma tekinolosie aofia aigraphite, silicon carbide, ceramics, togafitiga luga ma isi. O oloa e faʻaaogaina lautele i photovoltaic, semiconductor, malosi fou, metallurgy, ma isi.
O la matou 'au fa'atekinisi e sau mai fa'alapotopotoga su'esu'e pito i luga, e mafai ona tu'uina atu fa'afitauli fa'apitoa fa'apitoamo oe.
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