Детали второй половины - детали эпитаксиального оборудования SiC

Деталь полумесяца из графита с покрытием SiCis a ключкомпонент, используемый в процессах производства полупроводников, особенно в эпитаксиальном оборудовании SiC.Мы используем нашу запатентованную технологию для изготовления полумесяца.чрезвычайно высокая чистота,хорошийпокрытиеединообразиеи отличный срок службы, а такжевысокая химическая стойкость и термостабильность.

ПОО Энергия тотнастоящий производитель индивидуальных изделий из графита и карбида кремния с CVD-покрытием,может предоставитьразличныйиндивидуальные детали для полупроводниковой и фотоэлектрической промышленности. OНаша техническая команда состоит из ведущих отечественных исследовательских институтов и может предоставить более профессиональные решения по материалам.для тебя.

Мы постоянно разрабатываем передовые процессы, чтобы предоставлять более совершенные материалы,иразработали эксклюзивную запатентованную технологию, которая позволяет сделать соединение покрытия с подложкой более прочным и менее склонным к отслоению.

FОсобенности нашей продукции:

1. Устойчивость к высокотемпературному окислению до 1700.℃.
2. Высокая чистота итепловая однородность
3. Отличная коррозионная стойкость: кислоты, щелочи, соли и органические реагенты.
4. Высокая твердость, компактная поверхность, мелкие частицы.
5. Более длительный срок службы и долговечность.

Сердечно приветствуем вас посетить нашу фабрику, давайте обсудим!