Деталь полумесяца из графита с покрытием SiCis a ключкомпонент, используемый в процессах производства полупроводников, особенно в эпитаксиальном оборудовании SiC.Мы используем нашу запатентованную технологию для изготовления полумесяца.чрезвычайно высокая чистота,хорошийпокрытиеединообразиеи отличный срок службы, а такжевысокая химическая стойкость и термостабильность.
ПОО Энергия тотнастоящий производитель индивидуальных изделий из графита и карбида кремния с CVD-покрытием,может предоставитьразличныйиндивидуальные детали для полупроводниковой и фотоэлектрической промышленности. OНаша техническая команда состоит из ведущих отечественных исследовательских институтов и может предоставить более профессиональные решения по материалам.для тебя.
Мы постоянно разрабатываем передовые процессы, чтобы предоставлять более совершенные материалы,иразработали эксклюзивную запатентованную технологию, которая позволяет сделать соединение покрытия с подложкой более прочным и менее склонным к отслоению.
FОсобенности нашей продукции:
1. Устойчивость к высокотемпературному окислению до 1700.℃.
2. Высокая чистота итепловая однородность
3. Отличная коррозионная стойкость: кислоты, щелочи, соли и органические реагенты.
4. Высокая твердость, компактная поверхность, мелкие частицы.
5. Более длительный срок службы и долговечность.
| ССЗ SiC薄膜基本物理性能 Основные физические свойства CVD SiCпокрытие | |
| 性质 / Свойство | 典型数值 / Типичное значение |
| 晶体结构 / Кристаллическая структура | FCC β-фаза多晶,主要为（111）取向 |
| 密度 / Плотность | 3,21 г/см³ |
| 硬度 / Твердость | 2500 维氏硬度 (загрузка 500 г) |
| 晶粒大小 / Размер зерна | 2~10 мкм |
| 纯度 / Химическая чистота | 99,99995% |
| 热容 / Теплоемкость | 640 Дж·кг-1·К-1 |
| 升华温度 / Температура сублимации | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Прочность на изгиб | 415 МПа РТ 4-точечный |
| 杨氏模量 / Модуль Юнга | Изгиб 430 ГПа, 4 точки, 1300 ℃ |
| 导热系数 / ТермалПроводимость | 300 Вт·м-1·К-1 |
| 热膨胀系数 / Тепловое расширение (КТР) | 4,5×10-6K-1 |
Сердечно приветствуем вас посетить нашу фабрику, давайте обсудим!
