Карбид кремния с покрытиемграфитовый диск предназначен для изготовления защитного слоя из карбида кремния на поверхности графита методом физического или химического осаждения и напыления из паровой фазы. Подготовленный защитный слой карбида кремния может прочно связываться с графитовой матрицей, делая поверхность графитовой основы плотной и свободной от пустот, придавая графитовой матрице особые свойства, в том числе стойкость к окислению, кислото- и щелочестойкость, эрозионную стойкость, коррозионную стойкость, и т. д. В настоящее время ган-покрытие является одним из лучших основных компонентов для эпитаксиального роста карбида кремния.
Полупроводник карбид кремния является основным материалом недавно разработанного полупроводника с широкой запрещенной зоной. Его устройства обладают характеристиками высокой термостойкости, устойчивости к высокому напряжению, высокой частоты, высокой мощности и радиационной стойкости. Он имеет преимущества быстрой скорости переключения и высокой эффективности. Это может значительно снизить энергопотребление продукта, повысить эффективность преобразования энергии и уменьшить объем продукта. Он в основном используется в связи 5G, национальной обороне и военной промышленности. Область РФ, представленная аэрокосмической отраслью, и область силовой электроники, представленная новыми энергетическими транспортными средствами и «новой инфраструктурой», имеют ясные и значительные рыночные перспективы как в гражданской, так и в военной областях.
Подложка из карбида кремния является основным материалом недавно разработанного широкозонного полупроводника. Подложка из карбида кремния в основном используется в микроволновой электронике, силовой электронике и других областях.. Он находится на переднем конце цепочки производства полупроводников с широкой запрещенной зоной и является передовым и основным материалом для сердечников. Подложку из карбида кремния можно разделить на два типа: полуизолирующие и проводящие. Среди них полуизолирующая подложка из карбида кремния обладает высоким удельным сопротивлением (удельное сопротивление ≥ 105 Ом·см). Полуизолирующая подложка в сочетании с гетерогенным эпитаксиальным листом нитрида галлия может использоваться в качестве материала радиочастотных устройств, которые в основном используются в связи 5G, национальной обороне и военной промышленности в приведенных выше сценах; Другой представляет собой проводящую подложку из карбида кремния с низким удельным сопротивлением (диапазон удельного сопротивления составляет 15 ~ 30 мОм·см). Гомогенная эпитаксия проводящей подложки из карбида кремния и карбида кремния может быть использована в качестве материалов для силовых устройств. Основными сценариями применения являются электромобили, энергосистемы и другие области.
Время публикации: 21 февраля 2022 г.