Susceptor de barril revestido de SiC

Breve descrição:

O susceptor de barril revestido com SiC da VET Energy é um produto de alto desempenho projetado para fornecer desempenho consistente e confiável por um longo período. Possui excelente resistência ao calor e uniformidade térmica, alta pureza e resistência à erosão, tornando-o a solução perfeita para aplicações de processamento de wafer.

Local de Origem:China

Estrutura Cristalina:Fase FCCβ

Densidade:3,21g/cm3;

Dureza:2500 Vickers;

Tamanho do grão:2~10μm;

Pureza Química:99,99995%;

Capacidade de calor:640J·kg-1·K-1;

Temperatura de sublimação:2700°C;

Força felexural:415 Mpa (RT 4 Pontos);

Módulo de Young:430 Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C);

Expansão Térmica (CTE):4,5 10-6K-1;

Condutividade Térmica:300（W/MK）;

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Detalhes do produto

Etiquetas de produto

Susceptor de barril is a chavecomponente usado em vários processos de fabricação de semicondutores.Usamos nossa tecnologia patenteada para fazer osusceptor de barrilcompureza extremamente alta,bomrevestimentouniformidadee uma excelente vida útil, assim comoalta resistência química e propriedades de estabilidade térmica.

A Energia EFP é overdadeiro fabricante de produtos personalizados de grafite e carboneto de silício com revestimento CVD,pode fornecerváriospeças customizadas para indústria de semicondutores e fotovoltaica. Osua equipe técnica vem das principais instituições de pesquisa nacionais, pode fornecer soluções de materiais mais profissionaispara você.

Desenvolvemos continuamente processos avançados para fornecer materiais mais avançados,edesenvolveram uma tecnologia patenteada exclusiva, que pode tornar a ligação entre o revestimento e o substrato mais firme e menos propensa ao desprendimento.

Fcaracterísticas de nossos produtos:

1. Resistência à oxidação em altas temperaturas até 1700℃.
2. Alta pureza euniformidade térmica
3. Excelente resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sal e reagentes orgânicos.
4. Alta dureza, superfície compacta, partículas finas.
5. Maior vida útil e mais durável

DCV SiC薄膜基本物理性能 Propriedades físicas básicas do CVD SiCrevestimento
性质 / Propriedade	典型数值 / Valor típico
晶体结构 / Estrutura Cristalina	Fase β do FCC多晶, 主要为（111）取向
密度 / Densidade	3,21g/cm³
硬度 / Dureza	2500 unidades (carga de 500g)
晶粒大小 /Tamanho do grão	2~10μm
纯度 / Pureza Química	99,99995%
热容 / Capacidade de calor	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Temperatura de Sublimação	2700°C
抗弯强度 / Resistência à Flexão	415 MPa RT de 4 pontos
杨氏模量 / Módulo de Young	Curvatura de 430 Gpa 4pt, 1300℃
导热系数 / TermaeuCondutividade	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Expansão Térmica (CTE)	4,5×10^-6K^-1