Susceptor de grafite revestido de carboneto de silício para gravação em LED

Breve descrição:

O susceptor de carboneto de silício para gravação LED (bandeja SiC) é um acessório especial para gravação profunda de silício (máquina de gravação ICP). transportador de wafer, também conhecido como transportador de wafer, transportador de wafer de silício, também conhecido como wafer de bolso. Amplamente utilizado em CVD de semicondutores e pulverização catódica a vácuo.


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O susceptor revestido com carboneto de silício éa chavecomponente usado em vários processos de fabricação de semicondutores.Usamos nossa tecnologia patenteada para fabricar o susceptor revestido de carboneto de silício compureza extremamente alta,bomrevestimentouniformidadee uma excelente vida útil, assim comoalta resistência química e propriedades de estabilidade térmica.

A Energia EFP é overdadeiro fabricante de produtos personalizados de grafite e carboneto de silício com revestimento CVD,pode fornecerváriospeças customizadas para indústria de semicondutores e fotovoltaica. Osua equipe técnica vem das principais instituições de pesquisa nacionais, pode fornecer soluções de materiais mais profissionaispara você.

Desenvolvemos continuamente processos avançados para fornecer materiais mais avançados,edesenvolveram uma tecnologia patenteada exclusiva, que pode tornar a ligação entre o revestimento e o substrato mais firme e menos propensa ao desprendimento.

Fcaracterísticas de nossos produtos:

1. Resistência à oxidação em altas temperaturas até 1700.
2. Alta pureza euniformidade térmica
3. Excelente resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sal e reagentes orgânicos.
4. Alta dureza, superfície compacta, partículas finas.
5. Maior vida útil e mais durável

DCV SiC薄膜基本物理性能

Propriedades físicas básicas do CVD SiCrevestimento

性质 / Propriedade

典型数值 / Valor típico

晶体结构 / Estrutura Cristalina

Fase β do FCC多晶, 主要为(111)取向

密度 / Densidade

3,21g/cm³

硬度 / Dureza

2500 unidades (carga de 500g)

晶粒大小 /Tamanho do grão

2~10μm

纯度 / Pureza Química

99,99995%

热容 / Capacidade de calor

640 J·kg-1·K-1

升华温度 / Temperatura de Sublimação

2700°C

抗弯强度 / Resistência à flexão

415 MPa RT de 4 pontos

杨氏模量 / Módulo de Young

Curvatura de 430 Gpa 4pt, 1300℃

导热系数 / TermaeuCondutividade

300W·m-1·K-1

热膨胀系数 / Expansão Térmica (CTE)

4,5×10-6K-1

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