Węglik krzemu (SiC) to nowy złożony materiał półprzewodnikowy. Węglik krzemu ma duże pasmo wzbronione (około 3 razy większe od krzemu), wysokie krytyczne natężenie pola (około 10 razy większe od krzemu) i wysoką przewodność cieplną (około 3 razy większe od krzemu). Jest to ważny materiał półprzewodnikowy nowej generacji. Powłoki SiC są szeroko stosowane w przemyśle półprzewodników i fotowoltaice. W szczególności susceptory stosowane w epitaksjalnym wzroście diod LED i epitaksji monokrystalicznej Si wymagają zastosowania powłoki SiC. W związku z silnym trendem wzrostowym stosowania diod LED w branży oświetleniowej i wyświetlaczy oraz dynamicznym rozwojem branży półprzewodników,Produkt z powłoką SiCperspektywy są bardzo dobre.
ZAKRES ZASTOSOWANIA
Czystość, struktura SEM, analiza grubościPowłoka SiC
Czystość powłok SiC na graficie przy zastosowaniu CVD wynosi aż 99,9995%. Jego struktura to FCC. Folie SiC powlekane grafitem są zorientowane (111), jak pokazano w danych XRD (ryc. 1), co wskazuje na ich wysoką jakość krystaliczną. Grubość folii SiC jest bardzo jednolita, jak pokazano na ryc. 2.
Rys. 2: Jednolita grubość folii SiC SEM i XRD warstwy beta-SiC na graficie
Dane SEM cienkiej warstwy CVD SiC, wielkość kryształów wynosi 2 ~ 1 Opm
Struktura krystaliczna folii CVD SiC jest strukturą sześcienną skupioną na powierzchni, a orientacja wzrostu folii jest bliska 100%
Pokryty węglikiem krzemu (SiC).baza jest najlepszą bazą dla monokrystalicznego krzemu i epitaksji GaN, która jest głównym elementem pieca do epitaksji. Podstawa jest kluczowym dodatkiem do produkcji krzemu monokrystalicznego do dużych układów scalonych. Ma wysoką czystość, odporność na wysoką temperaturę, odporność na korozję, dobrą szczelność i inne doskonałe właściwości materiałowe.
Zastosowanie i użytkowanie produktu
Grafitowa powłoka bazowa do epitaksjalnego wzrostu monokrystalicznego krzemu. Nadaje się do maszyn Aixtron itp. Grubość powłoki: 90 ~ 150 um. Średnica krateru waflowego wynosi 55 mm.
Czas publikacji: 14 marca 2022 r