SiC-gecoat grafiet Halfmoon-onderdeelis a sleutelcomponent gebruikt in halfgeleiderproductieprocessen, vooral voor SiC-epitaxiale apparatuur.We gebruiken onze gepatenteerde technologie om het halvemaangedeelte mee te makenextreem hoge zuiverheid,Goedcoatinguniformiteiten een uitstekende levensduur, evenalshoge chemische weerstand en thermische stabiliteitseigenschappen.
VET Energie is deechte fabrikant van op maat gemaakte grafiet- en siliciumcarbideproducten met CVD-coating,kan leverenverscheideneop maat gemaakte onderdelen voor de halfgeleider- en fotovoltaïsche industrie. OOns technische team is afkomstig van de beste binnenlandse onderzoeksinstellingen en kan professionelere materiële oplossingen biedenvoor jou.
We ontwikkelen voortdurend geavanceerde processen om meer geavanceerde materialen te leveren,Enhebben een exclusieve gepatenteerde technologie uitgewerkt, die de hechting tussen de coating en de ondergrond strakker kan maken en minder snel loslaat.
Feigenschappen van onze producten:
1. Oxidatieweerstand bij hoge temperaturen tot 1700℃.
2. Hoge zuiverheid enthermische uniformiteit
3. Uitstekende corrosieweerstand: zuur, alkali, zout en organische reagentia.
4. Hoge hardheid, compact oppervlak, fijne deeltjes.
5. Langere levensduur en duurzamer
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Fysische basiseigenschappen van CVD SiCcoating | |
| 性质 / Eigendom | 典型数值 / Typische waarde |
| Ik denk dat dit het geval is / Kristalstructuur | FCC β-fase多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Dikte | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Hardheid | 2500 维氏硬度(500g belasting) |
| 晶粒大小 / Korrelgrootte | 2~10μm |
| 纯度 / Chemische zuiverheid | 99,99995% |
| 热容 / Warmtecapaciteit | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Sublimatietemperatuur | 2700℃ |
| Geen probleem / Buigsterkte | 415 MPa RT 4-punts |
| 杨氏模量 / Young's Modulus | 430 Gpa 4pt bocht, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermalGeleidbaarheid | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Thermische uitzetting (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Heten u van harte welkom om onze fabriek te bezoeken, laten we verder discussiëren!
