SiC-gecoate grafiet susceptor is een sleutelcomponent die wordt gebruikt in verschillende halfgeleiderproductieprocessen. we gebruiken onze gepatenteerde technologie om de susceptor te maken met een extreem hoge zuiverheid, goede coatinguniformiteit en een uitstekende levensduur, evenals hoge chemische weerstand en thermische stabiliteitseigenschappen.
Kenmerken van onze producten:
1. Oxidatieweerstand op hoge temperatuur tot 1700 ℃.
2. Hoge zuiverheid en thermische uniformiteit
3. Uitstekende corrosieweerstand: zuur, alkali, zout en organische reagentia.
4. Hoge hardheid, compact oppervlak, fijne deeltjes.
5. Langere levensduur en duurzamer
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Fysische basiseigenschappen van CVD SiCcoating | |
| 性质 / Eigendom | 典型数值 / Typische waarde |
| Ik denk dat dit het geval is / Kristalstructuur | FCC β-fase多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Dikte | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Hardheid | 2500 维氏硬度(500g belasting) |
| 晶粒大小 / Korrelgrootte | 2~10μm |
| 纯度 / Chemische zuiverheid | 99,99995% |
| 热容 / Warmtecapaciteit | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Sublimatietemperatuur | 2700℃ |
| Geen probleem / Buigsterkte | 415 MPa RT 4-punts |
| 杨氏模量 / Young's Modulus | 430 Gpa 4pt bocht, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermalGeleidbaarheid | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Thermische uitzetting (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
VET Energy is de echte fabrikant van op maat gemaakte grafiet- en siliciumcarbideproducten met verschillende coatings zoals SiC-coating, TaC-coating, glasachtige koolstofcoating, pyrolytische koolstofcoating, enz., Kan verschillende op maat gemaakte onderdelen leveren voor de halfgeleider- en fotovoltaïsche industrie.
Ons technische team is afkomstig van de beste binnenlandse onderzoeksinstellingen en kan meer professionele materiaaloplossingen voor u bieden.
We ontwikkelen voortdurend geavanceerde processen om meer geavanceerde materialen te leveren, en hebben een exclusieve gepatenteerde technologie uitgewerkt die de hechting tussen de coating en het substraat strakker kan maken en minder snel loslaat.
Heten u van harte welkom om onze fabriek te bezoeken, laten we verder discussiëren!
