GaN op siliciumwafel voor RF

Korte beschrijving:

De GaN op Silicon Wafer voor RF, geleverd door VET Energy, is ontworpen om hoogfrequente radiofrequentietoepassingen (RF) te ondersteunen. Deze wafers combineren de voordelen van galliumnitride (GaN) en silicium (Si) om een ​​uitstekende thermische geleidbaarheid en een hoog energierendement te bieden, waardoor ze ideaal zijn voor RF-componenten die worden gebruikt in telecommunicatie-, radar- en satellietsystemen. VET Energy zorgt ervoor dat elke wafer voldoet aan de hoogste prestatienormen die vereist zijn voor geavanceerde halfgeleiderfabricage.


Productdetail

Productlabels

VET Energy GaN op Silicon Wafer is een geavanceerde halfgeleideroplossing die speciaal is ontworpen voor radiofrequentie (RF) toepassingen. Door galliumnitride (GaN) van hoge kwaliteit epitaxiaal te laten groeien op een siliciumsubstraat, levert VET Energy een kosteneffectief en krachtig platform voor een breed scala aan RF-apparaten.

Deze GaN op siliciumwafel is compatibel met andere materialen zoals Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer en SiN Substrate, waardoor de veelzijdigheid voor verschillende fabricageprocessen wordt vergroot. Bovendien is het geoptimaliseerd voor gebruik met Epi Wafer en geavanceerde materialen zoals Gallium Oxide Ga2O3 en AlN Wafer, die de toepassingen in krachtige elektronica verder verbeteren. De wafers zijn ontworpen voor naadloze integratie in productiesystemen met behulp van standaard cassettehantering voor gebruiksgemak en verhoogde productie-efficiëntie.

VET Energy biedt een uitgebreid portfolio van halfgeleidersubstraten, waaronder Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3 en AlN Wafer. Onze gevarieerde productlijn komt tegemoet aan de behoeften van verschillende elektronische toepassingen, van vermogenselektronica tot RF en opto-elektronica.

GaN op Silicon Wafer biedt verschillende voordelen voor RF-toepassingen:

       • Hoogfrequente prestaties:De grote bandafstand en de hoge elektronenmobiliteit van GaN maken hoogfrequente werking mogelijk, waardoor het ideaal is voor 5G en andere snelle communicatiesystemen.
     • Hoge vermogensdichtheid:GaN-apparaten kunnen een hogere vermogensdichtheid aan dan traditionele op silicium gebaseerde apparaten, wat leidt tot compactere en efficiëntere RF-systemen.
       • Laag stroomverbruik:GaN-apparaten vertonen een lager energieverbruik, wat resulteert in een verbeterde energie-efficiëntie en verminderde warmteafvoer.

Toepassingen:

       • 5G draadloze communicatie:GaN op siliciumwafels zijn essentieel voor het bouwen van krachtige 5G-basisstations en mobiele apparaten.
     • Radarsystemen:Op GaN gebaseerde RF-versterkers worden in radarsystemen gebruikt vanwege hun hoge efficiëntie en grote bandbreedte.
   • Satellietcommunicatie:GaN-apparaten maken satellietcommunicatiesystemen met hoog vermogen en hoge frequentie mogelijk.
     • Militaire elektronica:Op GaN gebaseerde RF-componenten worden gebruikt in militaire toepassingen zoals elektronische oorlogsvoering en radarsystemen.

VET Energy biedt aanpasbare GaN op siliciumwafels om aan uw specifieke vereisten te voldoen, inclusief verschillende dopingniveaus, diktes en wafelgroottes. Ons deskundige team biedt technische ondersteuning en after-sales service om uw succes te garanderen.

第6页-36
第6页-35

WAFERINGSPECIFICATIES

*n-Pm=n-type Pm-kwaliteit,n-Ps=n-type Ps-kwaliteit,Sl=Semi-isolerend

Item

8 inch

6 inch

4 inch

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6um

≤6um

Boog (GF3YFCD)-absolute waarde

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Afwijking(GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Wafer rand

Afschuining

OPPERVLAKTEAFWERKING

*n-Pm=n-type Pm-kwaliteit,n-Ps=n-type Ps-kwaliteit,Sl=Semi-isolerend

Item

8 inch

6 inch

4 inch

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Oppervlakteafwerking

Dubbelzijdig optisch polijstmiddel, Si-Face CMP

Oppervlakteruwheid

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm
C-vlak Ra≤ 0,5 nm

(5umx5um) Si-vlak Ra≤0,2 nm
C-vlak Ra≤0,5 nm

Randchips

Niets toegestaan ​​(lengte en breedte≥0,5 mm)

Inspringingen

Geen toegestaan

Krassen (Si-gezicht)

Aantal ≤5, cumulatief
Lengte≤0,5×wafeldiameter

Aantal ≤5, cumulatief
Lengte≤0,5×wafeldiameter

Aantal ≤5, cumulatief
Lengte≤0,5×wafeldiameter

Scheuren

Geen toegestaan

Randuitsluiting

3 mm

tech_1_2_grootte
下载(2)

  • Vorig:
  • Volgende:

  • WhatsApp Onlinechat!