6 inch semi-isolerende SiC-wafel

Korte beschrijving:

VET Energy 6 inch semi-isolerende siliciumcarbide (SiC) wafer is een hoogwaardig substraat, ideaal voor een breed scala aan vermogenselektronica-toepassingen. VET Energy maakt gebruik van geavanceerde groeitechnieken om SiC-wafels te produceren met uitzonderlijke kristalkwaliteit, lage defectdichtheid en hoge weerstand.


Productdetail

Productlabels

De 6 inch semi-isolerende SiC-wafer van VET Energy is een geavanceerde oplossing voor toepassingen met hoog vermogen en hoge frequentie, en biedt superieure thermische geleidbaarheid en elektrische isolatie. Deze semi-isolerende wafers zijn essentieel bij de ontwikkeling van apparaten zoals RF-versterkers, stroomschakelaars en andere hoogspanningscomponenten. VET Energy garandeert consistente kwaliteit en prestaties, waardoor deze wafers ideaal zijn voor een breed scala aan halfgeleiderfabricageprocessen.

Naast hun uitstekende isolerende eigenschappen zijn deze SiC-wafels compatibel met een verscheidenheid aan materialen, waaronder Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate en Epi Wafer, waardoor ze veelzijdig zijn voor verschillende soorten productieprocessen. Bovendien kunnen geavanceerde materialen zoals Gallium Oxide Ga2O3 en AlN Wafer worden gebruikt in combinatie met deze SiC-wafels, wat een nog grotere flexibiliteit biedt in elektronische apparaten met hoog vermogen. De wafers zijn ontworpen voor naadloze integratie met industriestandaard handlingsystemen zoals cassettesystemen, waardoor gebruiksgemak in massaproductieomgevingen wordt gegarandeerd.

VET Energy biedt een uitgebreid portfolio van halfgeleidersubstraten, waaronder Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3 en AlN Wafer. Onze gevarieerde productlijn komt tegemoet aan de behoeften van verschillende elektronische toepassingen, van vermogenselektronica tot RF en opto-elektronica.

6 inch semi-isolerende SiC-wafel biedt verschillende voordelen:
Hoge doorslagspanning: De grote bandafstand van SiC maakt hogere doorslagspanningen mogelijk, waardoor compactere en efficiëntere voedingsapparaten mogelijk zijn.
Werking bij hoge temperaturen: de uitstekende thermische geleidbaarheid van SiC maakt werking bij hogere temperaturen mogelijk, waardoor de betrouwbaarheid van het apparaat wordt verbeterd.
Lage aan-weerstand: SiC-apparaten vertonen een lagere aan-weerstand, waardoor vermogensverliezen worden verminderd en de energie-efficiëntie wordt verbeterd.

VET Energy biedt aanpasbare SiC-wafels om aan uw specifieke vereisten te voldoen, inclusief verschillende diktes, dopingniveaus en oppervlakteafwerkingen. Ons deskundige team biedt technische ondersteuning en after-sales service om uw succes te garanderen.

第6页-36
第6页-35

WAFERINGSPECIFICATIES

*n-Pm=n-type Pm-kwaliteit,n-Ps=n-type Ps-kwaliteit,Sl=Semi-isolerend

Item

8 inch

6 inch

4 inch

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6um

≤6um

Boog (GF3YFCD)-Absolute waarde

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Afwijking(GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Wafer rand

Afschuining

OPPERVLAKTEAFWERKING

*n-Pm=n-type Pm-kwaliteit,n-Ps=n-type Ps-kwaliteit,Sl=Semi-isolerend

Item

8 inch

6 inch

4 inch

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Oppervlakteafwerking

Dubbelzijdig optisch polijstmiddel, Si-Face CMP

Oppervlakteruwheid

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm
C-vlak Ra≤ 0,5 nm

(5umx5um) Si-vlak Ra≤0,2 nm
C-gezicht Ra≤0,5 nm

Randchips

Niets toegestaan ​​(lengte en breedte≥0,5 mm)

Inspringingen

Geen toegestaan

Krassen (Si-gezicht)

Aantal ≤5, cumulatief
Lengte≤0,5×wafeldiameter

Aantal ≤5, cumulatief
Lengte≤0,5×wafeldiameter

Aantal ≤5, cumulatief
Lengte≤0,5×wafeldiameter

Scheuren

Geen toegestaan

Randuitsluiting

3 mm

tech_1_2_grootte
下载(2)

  • Vorig:
  • Volgende:

  • WhatsApp Onlinechat!