8 inch P-type siliciumwafel

Korte beschrijving:

Introductie van de hoogwaardige 8 inch P Type Silicon Wafer, een kenmerk van uitmuntendheid van VET Energy. Deze uitzonderlijke wafel, voorzien van een P-type dopingprofiel, is zorgvuldig ontworpen om te voldoen aan de hoogste normen van kwaliteit en prestaties.


Productdetail

Productlabels

De 8 inch P Type Silicon Wafer van VET Energy is een hoogwaardige siliciumwafel ontworpen voor een breed scala aan halfgeleidertoepassingen, waaronder zonnecellen, MEMS-apparaten en geïntegreerde schakelingen. Deze wafer staat bekend om zijn uitstekende elektrische geleidbaarheid en consistente prestaties en is de voorkeurskeuze voor fabrikanten die betrouwbare en efficiënte elektronische componenten willen produceren. VET Energy zorgt voor nauwkeurige dopingniveaus en een hoogwaardige oppervlakteafwerking voor een optimale fabricage van het apparaat.

Deze 8 inch P-type siliciumwafels zijn volledig compatibel met verschillende materialen zoals SiC-substraat, SOI-wafer en SiN-substraat, en zijn geschikt voor Epi Wafer-groei, waardoor veelzijdigheid voor geavanceerde halfgeleiderproductieprocessen wordt gegarandeerd. De wafers kunnen ook worden gebruikt in combinatie met andere hightech materialen zoals Gallium Oxide Ga2O3 en AlN Wafer, waardoor ze ideaal zijn voor elektronische toepassingen van de volgende generatie. Hun robuuste ontwerp past ook naadloos in cassettegebaseerde systemen, waardoor een efficiënte verwerking van grote volumes wordt gegarandeerd.

VET Energy biedt klanten waferoplossingen op maat. We kunnen wafers aanpassen met verschillende soortelijke weerstand, zuurstofgehalte, dikte, enz. volgens de specifieke behoeften van de klant. Daarnaast bieden we ook professionele technische ondersteuning en after-sales service om klanten te helpen bij het oplossen van verschillende problemen die ze tijdens het productieproces tegenkomen.

第6页-36
第6页-35

WAFERINGSPECIFICATIES

*n-Pm=n-type Pm-kwaliteit,n-Ps=n-type Ps-kwaliteit,Sl=Semi-isolerend

Item

8 inch

6 inch

4 inch

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6um

≤6um

Boog (GF3YFCD)-Absolute waarde

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Afwijking(GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Wafer rand

Afschuining

OPPERVLAKTEAFWERKING

*n-Pm=n-type Pm-kwaliteit,n-Ps=n-type Ps-kwaliteit,Sl=Semi-isolerend

Item

8 inch

6 inch

4 inch

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Oppervlakteafwerking

Dubbelzijdig optisch polijstmiddel, Si-Face CMP

Oppervlakteruwheid

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm
C-vlak Ra≤ 0,5 nm

(5umx5um) Si-vlak Ra≤0,2 nm
C-gezicht Ra≤0,5 nm

Randchips

Niets toegestaan ​​(lengte en breedte≥0,5 mm)

Inspringingen

Geen toegestaan

Krassen (Si-gezicht)

Aantal ≤5, cumulatief
Lengte≤0,5×wafeldiameter

Aantal ≤5, cumulatief
Lengte≤0,5×wafeldiameter

Aantal ≤5, cumulatief
Lengte≤0,5×wafeldiameter

Scheuren

Geen toegestaan

Randuitsluiting

3 mm

tech_1_2_grootte
下载(2)

  • Vorig:
  • Volgende:

  • WhatsApp Onlinechat!