12 inch SOI-wafel

Korte beschrijving:

Ervaar innovatie als nooit tevoren met de ultramoderne 12 inch SOI Wafer, een technologisch wonder dat u met trots wordt aangeboden door VET Energy. Deze Silicon-On-Insulator-wafel is vervaardigd met precisie en expertise en herdefinieert de industrienormen en biedt ongeëvenaarde kwaliteit en prestaties.


Productdetail

Productlabels

VET Energy 12-inch SOI-wafel is een hoogwaardig halfgeleidersubstraatmateriaal, dat zeer geliefd is vanwege zijn uitstekende elektrische eigenschappen en unieke structuur. VET Energy maakt gebruik van geavanceerde SOI-waferproductieprocessen om ervoor te zorgen dat de wafer een extreem lage lekstroom, hoge snelheid en stralingsweerstand heeft, waardoor een solide basis wordt gelegd voor uw hoogwaardige geïntegreerde schakelingen.

De productlijn van VET Energy beperkt zich niet tot SOI-wafels. We bieden ook een breed scala aan halfgeleidersubstraatmaterialen, waaronder Si Wafer, SiC Substrate, SiN Substrate, Epi Wafer, enz., evenals nieuwe halfgeleidermaterialen met een brede bandafstand, zoals Gallium Oxide Ga2O3 en AlN Wafer. Deze producten kunnen voldoen aan de toepassingsbehoeften van verschillende klanten op het gebied van vermogenselektronica, RF, sensoren en andere gebieden.

Onze SOI-wafels zijn gericht op uitmuntendheid en maken ook gebruik van geavanceerde materialen zoals galliumoxide Ga2O3, cassettes en AlN-wafels om betrouwbaarheid en efficiëntie op elk operationeel niveau te garanderen. Vertrouw op VET Energy om geavanceerde oplossingen te bieden die de weg vrijmaken voor technologische vooruitgang.

Ontketen het potentieel van uw project met de superieure prestaties van VET Energy 12-inch SOI-wafels. Vergroot uw innovatiemogelijkheden met wafers die kwaliteit, precisie en innovatie belichamen en de basis leggen voor succes op het dynamische gebied van halfgeleidertechnologie. Kies VET Energy voor premium SOI waferoplossingen die de verwachtingen overtreffen.

第6页-36
第6页-35

WAFERINGSPECIFICATIES

*n-Pm=n-type Pm-kwaliteit,n-Ps=n-type Ps-kwaliteit,Sl=Semi-isolerend

Item

8 inch

6 inch

4 inch

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6um

≤6um

Boog (GF3YFCD)-Absolute waarde

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Afwijking(GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Wafer rand

Afschuining

OPPERVLAKTEAFWERKING

*n-Pm=n-type Pm-kwaliteit,n-Ps=n-type Ps-kwaliteit,Sl=Semi-isolerend

Item

8 inch

6 inch

4 inch

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Oppervlakteafwerking

Dubbelzijdig optisch polijstmiddel, Si-Face CMP

Oppervlakteruwheid

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm
C-vlak Ra≤ 0,5 nm

(5umx5um) Si-vlak Ra≤0,2 nm
C-gezicht Ra≤0,5 nm

Randchips

Niets toegestaan ​​(lengte en breedte≥0,5 mm)

Inspringingen

Geen toegestaan

Krassen (Si-gezicht)

Aantal ≤5, cumulatief
Lengte≤0,5×wafeldiameter

Aantal ≤5, cumulatief
Lengte≤0,5×wafeldiameter

Aantal ≤5, cumulatief
Lengte≤0,5×wafeldiameter

Scheuren

Geen toegestaan

Randuitsluiting

3 mm

tech_1_2_grootte
下载(2)

  • Vorig:
  • Volgende:

  • WhatsApp Onlinechat!