GaAs-wafel van 4 inch

De 4 inch GaAs Wafer van VET Energy is een essentieel materiaal voor snelle en opto-elektronische apparaten, waaronder RF-versterkers, LED's en zonnecellen. Deze wafers staan ​​bekend om hun hoge elektronenmobiliteit en hun vermogen om op hogere frequenties te werken, waardoor ze een sleutelcomponent zijn in geavanceerde halfgeleidertoepassingen. VET Energy garandeert GaAs-wafels van topkwaliteit met uniforme dikte en minimale defecten, geschikt voor een reeks veeleisende fabricageprocessen.

Deze 4 inch GaAs Wafers zijn compatibel met verschillende halfgeleidermaterialen zoals Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer en SiN Substrate, waardoor ze veelzijdig zijn voor integratie in verschillende apparaatarchitecturen. Of ze nu worden gebruikt voor de productie van Epi Wafers of naast geavanceerde materialen zoals Gallium Oxide Ga2O3 en AlN Wafer, ze bieden een betrouwbare basis voor de volgende generatie elektronica. Bovendien zijn de wafers volledig compatibel met op cassettes gebaseerde verwerkingssystemen, waardoor een soepele werking in zowel onderzoeks- als productieomgevingen met grote volumes wordt gegarandeerd.

VET Energy biedt een uitgebreid portfolio van halfgeleidersubstraten, waaronder Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3 en AlN Wafer. Onze gevarieerde productlijn komt tegemoet aan de behoeften van verschillende elektronische toepassingen, van vermogenselektronica tot RF en opto-elektronica.

VET Energy biedt aanpasbare GaAs-wafels om aan uw specifieke vereisten te voldoen, inclusief verschillende dopingniveaus, oriëntaties en oppervlakteafwerkingen. Ons deskundige team biedt technische ondersteuning en after-sales service om uw succes te garanderen.