6 inch N-type SiC-wafel

Korte beschrijving:

De 6 Inch N Type SiC Wafer van VET Energy is een hoogwaardig substraat ontworpen voor geavanceerde halfgeleidertoepassingen en biedt superieure thermische geleidbaarheid en energie-efficiëntie. VET Energy maakt gebruik van geavanceerde technologie om hoogwaardige wafers te produceren die voldoen aan de strenge eisen van moderne elektronica, waardoor betrouwbaarheid en duurzaamheid van elektrische apparaten worden gegarandeerd.


Productdetail

Productlabels

Deze 6 inch N Type SiC Wafer is ontworpen voor betere prestaties onder extreme omstandigheden, waardoor het een ideale keuze is voor toepassingen die een hoog vermogen en temperatuurbestendigheid vereisen. De belangrijkste producten die bij deze wafer horen, zijn onder meer Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer en SiN Substrate. Deze materialen zorgen voor optimale prestaties in een verscheidenheid aan halfgeleiderproductieprocessen, waardoor apparaten mogelijk zijn die zowel energiezuinig als duurzaam zijn.

Voor bedrijven die werken met Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3, Cassette of AlN Wafer, biedt de 6 Inch N Type SiC Wafer van VET Energy de noodzakelijke basis voor innovatieve productontwikkeling. Of het nu gaat om krachtige elektronica of de nieuwste RF-technologie, deze wafers zorgen voor uitstekende geleiding en minimale thermische weerstand, waardoor de grenzen van efficiëntie en prestaties worden verlegd.

第6页-36
第6页-35

WAFERINGSPECIFICATIES

*n-Pm=n-type Pm-kwaliteit,n-Ps=n-type Ps-kwaliteit,Sl=Semi-isolerend

Item

8 inch

6 inch

4 inch

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6um

≤6um

Boog (GF3YFCD)-Absolute waarde

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Afwijking(GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Wafer rand

Afschuining

OPPERVLAKTEAFWERKING

*n-Pm=n-type Pm-kwaliteit,n-Ps=n-type Ps-kwaliteit,Sl=Semi-isolerend

Item

8 inch

6 inch

4 inch

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Oppervlakteafwerking

Dubbelzijdig optisch polijstmiddel, Si-Face CMP

Oppervlakteruwheid

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm
C-vlak Ra≤ 0,5 nm

(5umx5um) Si-vlak Ra≤0,2 nm
C-gezicht Ra≤0,5 nm

Randchips

Niets toegestaan ​​(lengte en breedte≥0,5 mm)

Inspringingen

Geen toegestaan

Krassen (Si-gezicht)

Aantal ≤5, cumulatief
Lengte≤0,5×wafeldiameter

Aantal ≤5, cumulatief
Lengte≤0,5×wafeldiameter

Aantal ≤5, cumulatief
Lengte≤0,5×wafeldiameter

Scheuren

Geen toegestaan

Randuitsluiting

3 mm

tech_1_2_grootte
下载(2)

  • Vorig:
  • Volgende:

  • WhatsApp Onlinechat!