Deze 6 inch N Type SiC Wafer is ontworpen voor betere prestaties onder extreme omstandigheden, waardoor het een ideale keuze is voor toepassingen die een hoog vermogen en temperatuurbestendigheid vereisen. De belangrijkste producten die bij deze wafer horen, zijn onder meer Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer en SiN Substrate. Deze materialen zorgen voor optimale prestaties in een verscheidenheid aan halfgeleiderproductieprocessen, waardoor apparaten mogelijk zijn die zowel energiezuinig als duurzaam zijn.
Voor bedrijven die werken met Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3, Cassette of AlN Wafer, biedt de 6 Inch N Type SiC Wafer van VET Energy de noodzakelijke basis voor innovatieve productontwikkeling. Of het nu gaat om krachtige elektronica of de nieuwste RF-technologie, deze wafers zorgen voor uitstekende geleiding en minimale thermische weerstand, waardoor de grenzen van efficiëntie en prestaties worden verlegd.
WAFERINGSPECIFICATIES
*n-Pm=n-type Pm-kwaliteit,n-Ps=n-type Ps-kwaliteit,Sl=Semi-isolerend
Item | 8 inch | 6 inch | 4 inch | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Boog (GF3YFCD)-Absolute waarde | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Afwijking(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Wafer rand | Afschuining |
OPPERVLAKTEAFWERKING
*n-Pm=n-type Pm-kwaliteit,n-Ps=n-type Ps-kwaliteit,Sl=Semi-isolerend
Item | 8 inch | 6 inch | 4 inch | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Oppervlakteafwerking | Dubbelzijdig optisch polijstmiddel, Si-Face CMP | ||||
Oppervlakteruwheid | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-vlak Ra≤0,2 nm | |||
Randchips | Niets toegestaan (lengte en breedte≥0,5 mm) | ||||
Inspringingen | Geen toegestaan | ||||
Krassen (Si-gezicht) | Aantal ≤5, cumulatief | Aantal ≤5, cumulatief | Aantal ≤5, cumulatief | ||
Scheuren | Geen toegestaan | ||||
Randuitsluiting | 3 mm |