Hoge zuiverheid 8 inch siliciumwafel

Korte beschrijving:

De zeer zuivere 8-inch siliciumwafels van VET Energy zijn uw ideale keuze voor de productie van halfgeleiders. Deze wafels zijn gemaakt met behulp van geavanceerde technologie en hebben een uitstekende kristalkwaliteit en vlakheid van het oppervlak, waardoor ze geschikt zijn voor de vervaardiging van een verscheidenheid aan micro-elektronische apparaten.


Productdetail

Productlabels

De 8-inch siliciumwafels van VET Energy worden veel gebruikt in vermogenselektronica, sensoren, geïntegreerde schakelingen en andere gebieden. Als leider in de halfgeleiderindustrie streven wij ernaar hoogwaardige Si Wafer-producten te leveren om aan de groeiende behoeften van onze klanten te voldoen.

Naast Si Wafer biedt VET Energy ook een breed scala aan halfgeleidersubstraatmaterialen, waaronder SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, enz. Onze productlijn omvat ook nieuwe halfgeleidermaterialen met een grote bandafstand, zoals Gallium Oxide Ga2O3 en AlN Wafer, dat krachtige ondersteuning biedt voor de ontwikkeling van vermogenselektronische apparaten van de volgende generatie.

VET Energy beschikt over geavanceerde productieapparatuur en een compleet kwaliteitsmanagementsysteem om ervoor te zorgen dat elke wafer voldoet aan strenge industrienormen. Onze producten hebben niet alleen uitstekende elektrische eigenschappen, maar hebben ook een goede mechanische sterkte en thermische stabiliteit.

VET Energy biedt klanten op maat gemaakte waferoplossingen, waaronder wafers van verschillende afmetingen, typen en dopingconcentraties. Daarnaast bieden we ook professionele technische ondersteuning en after-sales service om klanten te helpen bij het oplossen van verschillende problemen die ze tijdens het productieproces tegenkomen.

第6页-36
第6页-35

WAFERINGSPECIFICATIES

*n-Pm=n-type Pm-kwaliteit,n-Ps=n-type Ps-kwaliteit,Sl=Semi-isolerend

Item

8 inch

6 inch

4 inch

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6um

≤6um

Boog (GF3YFCD)-Absolute waarde

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Afwijking(GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Wafer rand

Afschuining

OPPERVLAKTEAFWERKING

*n-Pm=n-type Pm-kwaliteit,n-Ps=n-type Ps-kwaliteit,Sl=Semi-isolerend

Item

8 inch

6 inch

4 inch

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Oppervlakteafwerking

Dubbelzijdig optisch polijstmiddel, Si-Face CMP

Oppervlakteruwheid

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm
C-vlak Ra≤ 0,5 nm

(5umx5um) Si-vlak Ra≤0,2 nm
C-gezicht Ra≤0,5 nm

Randchips

Niets toegestaan ​​(lengte en breedte≥0,5 mm)

Inspringingen

Geen toegestaan

Krassen (Si-gezicht)

Aantal ≤5, cumulatief
Lengte≤0,5×wafeldiameter

Aantal ≤5, cumulatief
Lengte≤0,5×wafeldiameter

Aantal ≤5, cumulatief
Lengte≤0,5×wafeldiameter

Scheuren

Geen toegestaan

Randuitsluiting

3 mm

tech_1_2_grootte
下载(2)

  • Vorig:
  • Volgende:

  • WhatsApp Onlinechat!