vet-china mempersembahkan Bot Wafer Lajur Menegak & Alas yang inovatif, penyelesaian komprehensif untuk pemprosesan semikonduktor termaju. Direka bentuk dengan ketelitian yang teliti, sistem pengendalian wafer ini memberikan kestabilan dan penjajaran yang tiada tandingan, yang penting untuk persekitaran pembuatan berkecekapan tinggi.
Bot Wafer & Alas Lajur Menegak dibina dengan bahan premium yang menjamin kestabilan haba dan ketahanan terhadap kakisan kimia, menjadikannya sesuai untuk proses fabrikasi semikonduktor yang paling mencabar. Reka bentuk lajur menegaknya yang unik menyokong wafer dengan selamat, mengurangkan risiko salah jajaran dan potensi kerosakan semasa pengangkutan dan pemprosesan.
Dengan penyepaduan Bot Wafer Lajur Menegak & Alas veterinar China, pengeluar semikonduktor boleh menjangkakan daya pemprosesan yang lebih baik, masa henti yang diminimumkan dan hasil produk yang meningkat. Sistem ini serasi dengan pelbagai saiz dan konfigurasi wafer, menawarkan fleksibiliti dan skalabiliti untuk keperluan pengeluaran yang berbeza.
Komitmen vet-china terhadap kecemerlangan memastikan setiap Bot Wafer & Alas Lajur Menegak memenuhi standard kualiti dan prestasi tertinggi. Dengan memilih penyelesaian canggih ini, anda melabur dalam pendekatan kalis masa hadapan untuk pengendalian wafer yang memaksimumkan kecekapan dan kebolehpercayaan dalam pembuatan semikonduktor.
Sifat silikon karbida terhablur semula
Karbida silikon terhablur semula (R-SiC) ialah bahan berprestasi tinggi dengan kekerasan kedua selepas berlian, yang terbentuk pada suhu tinggi melebihi 2000 ℃. Ia mengekalkan banyak sifat SiC yang sangat baik, seperti kekuatan suhu tinggi, rintangan kakisan yang kuat, rintangan pengoksidaan yang sangat baik, rintangan kejutan haba yang baik dan sebagainya.
● Sifat mekanikal yang sangat baik. Karbida silikon terhablur semula mempunyai kekuatan dan kekakuan yang lebih tinggi daripada gentian karbon, rintangan hentaman tinggi, boleh memainkan prestasi yang baik dalam persekitaran suhu yang melampau, boleh memainkan prestasi pengimbang yang lebih baik dalam pelbagai situasi. Di samping itu, ia juga mempunyai fleksibiliti yang baik dan tidak mudah rosak oleh regangan dan lenturan, yang sangat meningkatkan prestasinya.
● Rintangan kakisan yang tinggi. Karbida silikon terhablur semula mempunyai rintangan kakisan yang tinggi kepada pelbagai media, boleh menghalang hakisan pelbagai media menghakis, boleh mengekalkan sifat mekanikalnya untuk masa yang lama, mempunyai lekatan yang kuat, supaya ia mempunyai hayat perkhidmatan yang lebih lama. Di samping itu, ia juga mempunyai kestabilan haba yang baik, boleh menyesuaikan diri dengan julat tertentu perubahan suhu, meningkatkan kesan penggunaannya.
● Pensinteran tidak mengecut. Oleh kerana proses pensinteran tidak mengecut, tiada tegasan sisa akan menyebabkan ubah bentuk atau keretakan produk, dan bahagian dengan bentuk kompleks dan ketepatan tinggi boleh disediakan.
| 重结晶碳化硅物理特性 Sifat fizikal Silikon Karbida Terhablur Semula | |
| 性质 / Harta | 典型数值 / Nilai Biasa |
| 使用温度/ Suhu kerja (°C) | 1600°C (dengan oksigen), 1700°C (mengurangkan persekitaran) |
| SiC含量/ kandungan SiC | > 99.96% |
| 自由Si含量/ Kandungan Si percuma | < 0.1% |
| 体积密度/Ketumpatan pukal | 2.60-2.70 g/sm3 |
| 气孔率/ Keliangan ketara | < 16% |
| 抗压强度/ Kekuatan mampatan | > 600MPa |
| 常温抗弯强度/Kekuatan lenturan sejuk | 80-90 MPa (20°C) |
| 高温抗弯强度Kekuatan lenturan panas | 90-100 MPa (1400°C) |
| 热膨胀系数/ Pengembangan terma @1500°C | 4.70 10-6/°C |
| 导热系数/Kekonduksian terma @1200°C | 23W/m•K |
| 杨氏模量/ Modulus anjal | 240 GPa |
| 抗热震性/ Rintangan kejutan terma | sangat baik |
Tenaga VET ialah yangpengeluar sebenar produk grafit dan silikon karbida tersuai dengan salutan CVD,boleh bekalkanpelbagaibahagian tersuai untuk industri semikonduktor dan fotovoltaik. Opasukan teknikal anda berasal dari institusi penyelidikan domestik terkemuka, boleh menyediakan penyelesaian bahan yang lebih profesionaluntuk awak.
Kami terus membangunkan proses lanjutan untuk menyediakan bahan yang lebih maju,dantelah menghasilkan teknologi yang dipatenkan eksklusif, yang boleh menjadikan ikatan antara salutan dan substrat lebih ketat dan kurang terdedah kepada detasmen.
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Sifat fizikal asas CVD SiCsalutan | |
| 性质 / Harta | 典型数值 / Nilai Biasa |
| 晶体结构 / Struktur Kristal | fasa FCC β多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Ketumpatan | 3.21 g/cm³ |
| 硬度 / Kekerasan | 2500 维氏硬度（500g beban） |
| 晶粒大小 / Saiz Bijirin | 2~10μm |
| 纯度 / Ketulenan Kimia | 99.99995% |
| 热容 / Kapasiti Haba | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Suhu Sublimasi | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Kekuatan Lentur | 415 MPa RT 4 mata |
| 杨氏模量 / Modulus Muda | 430 Gpa selekoh 4pt, 1300℃ |
| 导热系数 / TermalKekonduksian | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Pengembangan Terma(CTE) | 4.5×10-6K-1 |
Sangat mengalu-alukan anda untuk melawat kilang kami, mari berbincang lebih lanjut!
