Bot Wafer Bersambung

Penerangan ringkas:

Bot Wafer Bersebelahan dari vet-china direka untuk pengendalian wafer yang cekap dalam pembuatan semikonduktor. Dicipta dengan ketepatan, penyelesaian vet-china memastikan kestabilan terma dan rintangan kimia, mengoptimumkan proses pengeluaran sambil meminimumkan kerosakan dan meningkatkan daya pengeluaran.

Hantar e-mel kepada kami Muat turun sebagai PDF

Butiran Produk

Tag Produk

vet-china memperkenalkan Bot Wafer Bersambungan terkini yang direka bentuk untuk pembuatan semikonduktor generasi akan datang. Bot yang direka dengan teliti ini menawarkan ketepatan yang tiada tandingan dalam pengendalian wafer, memastikan operasi yang lancar dan mengurangkan risiko kerosakan dengan ketara semasa pemprosesan.

Dibina dengan bahan berkualiti tinggi, Contiguous Wafer Boat menawarkan kestabilan haba yang sangat baik dan rintangan kimia yang luar biasa, menjadikannya sesuai untuk persekitaran kimia bersuhu tinggi dan keras. Reka bentuknya yang inovatif memastikan wafer dipegang dengan selamat dan diselaraskan dengan sempurna, mengoptimumkan daya pengeluaran dan meningkatkan kecekapan pembuatan.

Bot wafer yang canggih ini disesuaikan untuk memenuhi keperluan mendesak fabrik semikonduktor moden, menyokong pelbagai saiz dan konfigurasi wafer. Dengan memasukkan Bot Wafer Bersebelahan dari vet-china ke dalam barisan pengeluaran anda, anda boleh menjangkakan prestasi yang dipertingkatkan, masa henti yang dikurangkan dan kadar hasil yang meningkat.

Alami perbezaan dengan komitmen vet-china terhadap kualiti dan inovasi, menyampaikan produk yang menolak sempadan pembuatan semikonduktor. Pilih Bot Wafer Bersebelahan dan tingkatkan keupayaan pemprosesan wafer anda ke tahap yang lebih tinggi.

Sifat silikon karbida terhablur semula

Karbida silikon terhablur semula (R-SiC) ialah bahan berprestasi tinggi dengan kekerasan kedua selepas berlian, yang terbentuk pada suhu tinggi melebihi 2000 ℃. Ia mengekalkan banyak sifat SiC yang sangat baik, seperti kekuatan suhu tinggi, rintangan kakisan yang kuat, rintangan pengoksidaan yang sangat baik, rintangan kejutan haba yang baik dan sebagainya.

● Sifat mekanikal yang sangat baik. Karbida silikon terhablur semula mempunyai kekuatan dan kekakuan yang lebih tinggi daripada gentian karbon, rintangan hentaman tinggi, boleh memainkan prestasi yang baik dalam persekitaran suhu yang melampau, boleh memainkan prestasi pengimbang yang lebih baik dalam pelbagai situasi. Di samping itu, ia juga mempunyai fleksibiliti yang baik dan tidak mudah rosak oleh regangan dan lenturan, yang sangat meningkatkan prestasinya.

● Rintangan kakisan yang tinggi. Karbida silikon terhablur semula mempunyai rintangan kakisan yang tinggi kepada pelbagai media, boleh menghalang hakisan pelbagai media menghakis, boleh mengekalkan sifat mekanikalnya untuk masa yang lama, mempunyai lekatan yang kuat, supaya ia mempunyai hayat perkhidmatan yang lebih lama. Di samping itu, ia juga mempunyai kestabilan haba yang baik, boleh menyesuaikan diri dengan julat tertentu perubahan suhu, meningkatkan kesan penggunaannya.

● Pensinteran tidak mengecut. Oleh kerana proses pensinteran tidak mengecut, tiada tegasan sisa akan menyebabkan ubah bentuk atau keretakan produk, dan bahagian dengan bentuk kompleks dan ketepatan tinggi boleh disediakan.

重结晶碳化硅物理特性 Sifat fizikal Silikon Karbida Terhablur Semula
性质 / Harta	典型数值 / Nilai Biasa
使用温度/ Suhu kerja (°C)	1600°C (dengan oksigen), 1700°C (mengurangkan persekitaran)
SiC含量/ kandungan SiC	> 99.96%
自由Si含量/ Kandungan Si percuma	< 0.1%
体积密度/Ketumpatan pukal	2.60-2.70 g/cm³
气孔率/ Keliangan ketara	< 16%
抗压强度/ Kekuatan mampatan	> 600MPa
常温抗弯强度/Kekuatan lenturan sejuk	80-90 MPa (20°C)
高温抗弯强度Kekuatan lenturan panas	90-100 MPa (1400°C)
热膨胀系数/ Pengembangan terma @1500°C	4.70 10^-6/°C
导热系数/Kekonduksian terma @1200°C	23W/m•K
杨氏模量/ Modulus anjal	240 GPa
抗热震性/ Rintangan kejutan terma	sangat baik

Tenaga VET ialah yangpengeluar sebenar produk grafit dan silikon karbida tersuai dengan salutan CVD,boleh bekalkanpelbagaibahagian tersuai untuk industri semikonduktor dan fotovoltaik. Opasukan teknikal anda berasal dari institusi penyelidikan domestik terkemuka, boleh menyediakan penyelesaian bahan yang lebih profesionaluntuk awak.

Kami terus membangunkan proses lanjutan untuk menyediakan bahan yang lebih maju,dantelah menghasilkan teknologi yang dipatenkan eksklusif, yang boleh menjadikan ikatan antara salutan dan substrat lebih ketat dan kurang terdedah kepada detasmen.

CVD SiC薄膜基本物理性能 Sifat fizikal asas CVD SiCsalutan
性质 / Harta	典型数值 / Nilai Biasa
晶体结构 / Struktur Kristal	Fasa FCC β多晶，主要为（111）取向
密度 / Ketumpatan	3.21 g/cm³
硬度 / Kekerasan	2500 维氏硬度（500g beban）
晶粒大小 / Saiz Bijirin	2~10μm
纯度 / Ketulenan Kimia	99.99995%
热容 / Kapasiti Haba	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Suhu Sublimasi	2700 ℃
抗弯强度 / Kekuatan Lentur	415 MPa RT 4 mata
杨氏模量 / Modulus Muda	430 Gpa selekoh 4pt, 1300℃
导热系数 / TermalKekonduksian	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Pengembangan Terma(CTE)	4.5×10^-6K^-1