Дел од полумесечината обложена со графит со SiCis a клучкомпонента која се користи во процесите на производство на полупроводници, особено за SiC епитаксијална опрема.Ја користиме нашата патентирана технологија за да направиме дел од полумесечинатаисклучително висока чистота,доброоблогауниформности одличен работен век, како ивисока хемиска отпорност и термичка стабилност својства.
СОО Енергија е навистински производител на прилагодени производи од графит и силициум карбид со CVD слој,може да снабдуваразличниприлагодени делови за полупроводничка и фотоволтаична индустрија. OТехничкиот тим доаѓа од врвни домашни истражувачки институции, може да обезбеди попрофесионални материјални решенијаза тебе.
Ние постојано развиваме напредни процеси за да обезбедиме понапредни материјали,иимаат развиено ексклузивна патентирана технологија, која може да го направи поврзувањето помеѓу облогата и подлогата поцврсто и помалку подложно на одлепување.
Fкарактеристики на нашите производи:
1. Отпорност на оксидација на висока температура до 1700℃.
2. Висока чистота итоплинска униформност
3. Одлична отпорност на корозија: киселина, алкали, сол и органски реагенси.
4. Висока цврстина, компактна површина, фини честички.
5. Подолг работен век и потрајни
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Основни физички својства на CVD SiCоблога | |
| 性质 / Имотот | 典型数值 / Типична вредност |
| 晶体结构 / Кристална структура | FCC β фаза多晶，主要为（111). |
| 密度 / Густина | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Цврстина | 2500 维氏硬度 (500 g оптоварување) |
| 晶粒大小 / Големина на жито | 2 ~ 10 μm |
| 纯度 / Хемиска чистота | 99,99995% |
| 热容 / Топлински капацитет | 640 J·kg-1· К-1 |
| 升华温度 / Температура на сублимација | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Јачина на свиткување | 415 MPa RT 4-точка |
| 杨氏模量 / Модул на Јанг | 430 Gpa 4pt кривина, 1300℃ |
| 导热系数 / ТермалСпроводливост | 300 W·m-1· К-1 |
| 热膨胀系数 / Термичка експанзија (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Топло добредојде да ја посетите нашата фабрика, ајде да разговараме понатаму!
