SiC Coated Graphite Halfmoon Partis a ກະແຈອົງປະກອບທີ່ໃຊ້ໃນຂະບວນການຜະລິດ semiconductor, ໂດຍສະເພາະສໍາລັບອຸປະກອນ SiC epitaxial.ພວກເຮົານໍາໃຊ້ເຕັກໂນໂລຊີສິດທິບັດຂອງພວກເຮົາເພື່ອເຮັດໃຫ້ພາກສ່ວນ halfmoon ກັບຄວາມບໍລິສຸດສູງທີ່ສຸດ,ດີການເຄືອບຄວາມເປັນເອກະພາບແລະຊີວິດການບໍລິການທີ່ດີເລີດ, ເຊັ່ນດຽວກັນກັບທົນທານຕໍ່ສານເຄມີສູງແລະຄຸນສົມບັດສະຖຽນລະພາບຄວາມຮ້ອນ.
ພະລັງງານ VET ແມ່ນ ໄດ້ຜູ້ຜະລິດທີ່ແທ້ຈິງຂອງຜະລິດຕະພັນ graphite ແລະ silicon carbide ທີ່ກໍາຫນົດເອງທີ່ມີການເຄືອບ CVD,ສາມາດສະຫນອງຕ່າງໆພາກສ່ວນທີ່ກໍາຫນົດເອງສໍາລັບ semiconductor ແລະອຸດສາຫະກໍາ photovoltaic. Oທີມງານດ້ານວິຊາການ ur ມາຈາກສະຖາບັນຄົ້ນຄ້ວາພາຍໃນປະເທດຊັ້ນນໍາ, ສາມາດສະຫນອງການແກ້ໄຂອຸປະກອນການເປັນມືອາຊີບຫຼາຍສໍາລັບທ່ານ.
ພວກເຮົາສືບຕໍ່ພັດທະນາຂະບວນການທີ່ກ້າວຫນ້າເພື່ອສະຫນອງອຸປະກອນທີ່ກ້າວຫນ້າທາງດ້ານຫຼາຍ,ແລະໄດ້ເຮັດວຽກອອກເຕັກໂນໂລຊີສິດທິບັດສະເພາະ, ເຊິ່ງສາມາດເຮັດໃຫ້ການຜູກມັດລະຫວ່າງການເຄືອບແລະ substrate ໄດ້ tighter ແລະມີຄວາມສ່ຽງຫນ້ອຍທີ່ຈະ detachment.
Fອາຫານຂອງຜະລິດຕະພັນຂອງພວກເຮົາ:
1. ການຕໍ່ຕ້ານການຜຸພັງຂອງອຸນຫະພູມສູງເຖິງ 1700℃.
2. ຄວາມບໍລິສຸດສູງແລະຄວາມສອດຄ່ອງຂອງຄວາມຮ້ອນ
3. ການຕໍ່ຕ້ານ corrosion ທີ່ດີເລີດ: ອາຊິດ, alkali, ເກືອແລະ reagents ອິນຊີ.
4. ຄວາມແຂງສູງ, ພື້ນຜິວຫນາແຫນ້ນ, ອະນຸພາກລະອຽດ.
5. ຊີວິດການບໍລິການທີ່ຍາວນານແລະທົນທານຫຼາຍ
| CVD SiC薄膜基本物理性能 ຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບພື້ນຖານຂອງ CVD SiCການເຄືອບ | |
| 性质 / ຊັບສິນ | 典型数值 / ມູນຄ່າປົກກະຕິ |
| 晶体结构 / ໂຄງປະກອບການໄປເຊຍກັນ | ໄລຍະ FCC β多晶，主要为（111) 取向 |
| 密度 / ຄວາມຫນາແຫນ້ນ | 3.21 g/cm³ |
| 硬度 / ຄວາມແຂງ | 2500 维氏硬度 (ໂຫຼດ 500g) |
| 晶粒大小 / ເມັດ SiZe | 2-10 ມມ |
| 纯度 / ຄວາມບໍລິສຸດທາງເຄມີ | 99.99995% |
| 热容 / ຄວາມອາດສາມາດຄວາມຮ້ອນ | 640 J·kg-1· ຄ-1 |
| 升华温度 / ອຸນຫະພູມ sublimation | 2700℃ |
| 抗弯强度 / ຄວາມເຂັ້ມແຂງ Flexural | 415 MPa RT 4 ຈຸດ |
| 杨氏模量 / Modulus ຂອງຫນຸ່ມ | 430 Gpa 4pt ໂຄ້ງ, 1300 ℃ |
| 导热系数 / ຄວາມຮ້ອນລການນໍາ | 300W·m-1· ຄ-1 |
| 热膨胀系数 / ການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ (CTE) | 4.5×10-6K-1 |
ຍິນດີຕ້ອນຮັບທ່ານໄປຢ້ຽມຢາມໂຮງງານຜະລິດຂອງພວກເຮົາຢ່າງອົບອຸ່ນ, ຂໍໃຫ້ມີການສົນທະນາຕື່ມອີກ!
