GaN op Silicon Wafer fir RF

Kuerz Beschreiwung:

De GaN op Silicon Wafer fir RF, geliwwert vu VET Energy, ass entwéckelt fir Héichfrequenz Radiofrequenz (RF) Uwendungen z'ënnerstëtzen. Dës Wafere kombinéieren d'Virdeeler vu Gallium Nitride (GaN) a Silicon (Si) fir exzellent thermesch Konduktivitéit an héich Kraafteffizienz ze bidden, sou datt se ideal sinn fir RF Komponenten déi an Telekommunikatioun, Radar a Satellitesystemer benotzt ginn. VET Energy garantéiert datt all Wafer den héchste Leeschtungsnormen entsprécht fir fortgeschratt Halbleiterfabrikatioun.


Produit Detailer

Produit Tags

VET Energy GaN op Silicon Wafer ass eng modernst Halbleiterléisung speziell fir Radiofrequenz (RF) Uwendungen entwéckelt. Duerch epitaxial wuesse qualitativ héichwäerteg Galliumnitrid (GaN) op engem Siliziumsubstrat, liwwert VET Energy eng kosteneffektiv an héich performant Plattform fir eng breet Palette vun RF-Geräter.

Dëse GaN op Silicon Wafer ass kompatibel mat anere Materialien wéi Si Wafer, SiC Substrat, SOI Wafer, a SiN Substrat, erweidert seng Villsäitegkeet fir verschidde Fabrikatiounsprozesser. Zousätzlech ass et optimiséiert fir ze benotzen mat Epi Wafer a fortgeschratt Materialien wéi Gallium Oxide Ga2O3 an AlN Wafer, déi seng Uwendungen an der High-Power Elektronik weider verbesseren. D'Wafers si fir eng nahtlos Integratioun an Fabrikatiounssystemer entworf mat Standard Cassette Handhabung fir d'Benotzungsfäegkeet an d'Erhéijung vun der Produktiounseffizienz.

VET Energy bitt e komplette Portfolio vu Hallefleitsubstrater, dorënner Si Wafer, SiC Substrat, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3, an AlN Wafer. Eis divers Produktlinn entsprécht d'Bedierfnesser vu verschiddenen elektroneschen Uwendungen, vu Kraaftelektronik bis RF an Optoelektronik.

GaN op Silicon Wafer bitt verschidde Virdeeler fir RF Uwendungen:

       • Héichfrequenz Leeschtung:GaN's breet Bandgap an héich Elektronemobilitéit erméiglechen Héichfrequenz Operatioun, sou datt et ideal ass fir 5G an aner High-Speed-Kommunikatiounssystemer.
     • Héich Kraaftdicht:GaN Geräter kënne méi héich Kraaftdichten am Verglach mat traditionelle Silizium-baséiert Geräter handhaben, wat zu méi kompakten an effiziente RF Systemer féiert.
       • Niddereg Stroumverbrauch:GaN Apparater weisen e méi nidderegen Energieverbrauch, wat zu enger verbesserter Energieeffizienz a reduzéierter Wärmevergëftung resultéiert.

Uwendungen:

       • 5G drahtlose Kommunikatioun:GaN op Silicon Wafere si wesentlech fir héich performant 5G Basisstatiounen a mobilen Apparater ze bauen.
     • Radarsystemer:GaN-baséiert RF Verstärker ginn a Radarsystemer fir hir héich Effizienz a breet Bandbreed benotzt.
   • Satellit Kommunikatioun:GaN Apparater erlaben héich-Muecht an héich-Frequenz Satellit Kommunikatioun Systemer.
     • Militärelektronik:GaN-baséiert RF Komponente ginn a militäreschen Uwendungen benotzt wéi elektronesch Kricher a Radarsystemer.

VET Energy bitt personaliséierbar GaN op Silicon Wafers fir Är spezifesch Ufuerderungen z'erreechen, dorënner verschidden Dopingniveauen, Dicken a Wafergréissten. Eis Expert Team bitt technesch Ënnerstëtzung an After-Sales Service fir Ären Erfolleg ze garantéieren.

第6页-36
第6页-35

WAFERING SPESIFIKASJONER

*n-Pm=n-Typ Pm-Grade,n-Ps=n-Typ Ps-Grade,Sl=Semi-isoléierend

Artikel

8 Zoll

6 Zoll

4 Zoll

nP

n-pm

n-Ps

SI

SI

TTV (GBIR)

≤6 um

≤6 um

Bow(GF3YFCD)-Absolut Wäert

≤15μm

≤15μm

≤25 μm

≤15μm

Warp (GF3YFER)

≤25 μm

≤25 μm

≤40 μm

≤25 μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Wafer Edge

Beveling

SURFACE FINISH

*n-Pm=n-Typ Pm-Grade,n-Ps=n-Typ Ps-Grade,Sl=Semi-isoléierend

Artikel

8 Zoll

6 Zoll

4 Zoll

nP

n-pm

n-Ps

SI

SI

Surface Finish

Duebel Säit Optesch Polnesch, Si- Face CMP

SurfaceRoughness

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm
C-Face Ra≤ 0,5 nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm
C-Face Ra≤0.5nm

Rand Chips

Keen erlaabt (Längt a Breet≥0,5 mm)

Abriecher

Keen erlaabt

Kratzer (Si-Face)

Quty.≤5, Kumulativ
Längt ≤0,5 × wafer Duerchmiesser

Quty.≤5, Kumulativ
Längt ≤0,5 × wafer Duerchmiesser

Quty.≤5, Kumulativ
Längt ≤0,5 × wafer Duerchmiesser

Rëss

Keen erlaabt

Rand Ausgrenzung

3 mm

tech_1_2_Gréisst
Zeechnen (2)

  • virdrun:
  • Nächste:

  • WhatsApp Online Chat!