12 Zoll Silicon Wafer fir Semiconductor Fabrikatioun

Kuerz Beschreiwung:

VET Energy 12-Zoll Silicon Wafers sinn d'Kär Basismaterialien vun der Hallefleitproduktiounsindustrie. VET Energy benotzt fortgeschratt CZ Wuesstumstechnologie fir sécherzestellen datt d'Waferen eng exzellent Kristallqualitéit, eng geréng Defektdicht an eng héich Uniformitéit hunn, e festen an zouverléissege Substrat fir Är Hallefleitgeräter ubidden.


Produit Detailer

Produit Tags

Den 12 Zoll Silicon Wafer fir Semiconductor Fabrikatioun ugebueden vu VET Energy ass konstruéiert fir déi präzis Standarden ze erfëllen, déi an der Hallefleitindustrie erfuerderlech sinn. Als ee vun de féierende Produkter an eiser Opstellung garantéiert VET Energy datt dës Wafere mat exakter Flaachheet, Rengheet an Uewerflächequalitéit produzéiert ginn, wat se ideal mécht fir opzedeelen Hallefleitapplikatiounen, dorënner Mikrochips, Sensoren a fortgeschratt elektronesch Geräter.

Dëse Wafer ass kompatibel mat enger breet Palette vu Materialien wéi Si Wafer, SiC Substrat, SOI Wafer, SiN Substrat, an Epi Wafer, déi exzellente Villsäitegkeet fir verschidde Fabrikatiounsprozesser ubitt. Zousätzlech ass et gutt mat fortgeschratt Technologien wéi Gallium Oxide Ga2O3 an AlN Wafer, fir datt et an héich spezialiséiert Uwendungen integréiert ka ginn. Fir glat Operatioun ass de Wafer fir d'Benotzung mat Industrie-Standard Kassettsystemer optimiséiert, fir effizient Handhabung an der Halbleiterfabrikatioun ze garantéieren.

D'Produktlinn vum VET Energy ass net limitéiert op Siliziumwaferen. Mir bidden och eng breet Palette vun Semiconductor Substrat Materialien, dorënner SiC Substrat, SOI Wafer, SiN Substrat, Epi Wafer, etc., souwéi nei breet Bandgap Hallefleitmaterialien wéi Gallium Oxide Ga2O3 an AlN Wafer. Dës Produkter kënnen d'Applikatiounsbedürfnisser vu verschiddene Clienten a Kraaftelektronik, Radiofrequenz, Sensoren an aner Felder treffen.

Applikatioun Beräicher:
Logik Chips:Fabrikatioun vun héich-Performance Logik Chips wéi CPU an GPU.
Memory Chips:Fabrikatioun vun Erënnerung Chips wéi DRAM an NAND Flash.
Analog Chips:Fabrikatioun vun Analog Chips wéi ADC an DAC.
Sensoren:MEMS Sensoren, Bildsensoren, etc.

VET Energy bitt Clienten personaliséiert Wafer-Léisungen, a kënne Wafere mat ënnerschiddleche Resistivitéit, verschiddene Sauerstoffgehalt, ënnerschiddlech Dicke an aner Spezifikatioune no de spezifesche Bedierfnesser vun de Clienten personaliséieren. Zousätzlech bidde mir och professionell technesch Ënnerstëtzung an After-Sales-Service fir Clienten ze hëllefen d'Produktiounsprozesser ze optimiséieren an d'Produktrendung ze verbesseren.

第6页-36
第6页-35

WAFERING SPESIFIKASJONER

*n-Pm=n-Typ Pm-Grade,n-Ps=n-Typ Ps-Grade,Sl=Semi-isoléierend

Artikel

8 Zoll

6 Zoll

4 Zoll

nP

n-pm

n-Ps

SI

SI

TTV (GBIR)

≤6 um

≤6 um

Bow(GF3YFCD)-Absolut Wäert

≤15μm

≤15μm

≤25 μm

≤15μm

Warp (GF3YFER)

≤25 μm

≤25 μm

≤40 μm

≤25 μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Wafer Edge

Beveling

SURFACE FINISH

*n-Pm=n-Typ Pm-Grade,n-Ps=n-Typ Ps-Grade,Sl=Semi-isoléierend

Artikel

8 Zoll

6 Zoll

4 Zoll

nP

n-pm

n-Ps

SI

SI

Surface Finish

Duebel Säit Optesch Polnesch, Si- Face CMP

SurfaceRoughness

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm
C-Face Ra≤ 0,5 nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm
C-Face Ra≤0.5nm

Rand Chips

Keen erlaabt (Längt a Breet≥0,5 mm)

Abriecher

Keen erlaabt

Kratzer (Si-Face)

Quty.≤5, Kumulativ
Längt ≤0,5 × wafer Duerchmiesser

Quty.≤5, Kumulativ
Längt ≤0,5 × wafer Duerchmiesser

Quty.≤5, Kumulativ
Längt ≤0,5 × wafer Duerchmiesser

Rëss

Keen erlaabt

Rand Ausgrenzung

3 mm

tech_1_2_Gréisst
Zeechnen (2)

  • virdrun:
  • Nächste:

  • WhatsApp Online Chat!