De 6 Zoll Semi Isoléierend SiC Wafer vu VET Energy ass eng fortgeschratt Léisung fir Héichkraaft an Héichfrequenz Uwendungen, bitt eng super thermesch Konduktivitéit an elektresch Isolatioun. Dës semi-isoléierend Wafere si wesentlech an der Entwécklung vun Apparater wéi RF Verstärker, Kraaftschalter an aner Héichspannungskomponenten. VET Energy suergt fir konsequent Qualitéit a Leeschtung, sou datt dës Wafere ideal sinn fir eng breet Palette vun Halbleiterfabrikatiounsprozesser.
Zousätzlech zu hiren aussergewéinlechen Isoléiereigenschaften sinn dës SiC Wafere kompatibel mat verschiddene Materialien, dorënner Si Wafer, SiC Substrat, SOI Wafer, SiN Substrate, an Epi Wafer, wat se villsäiteg fir verschidden Aarte vu Fabrikatiounsprozesser mécht. Ausserdeem kënne fortgeschratt Materialien wéi Gallium Oxide Ga2O3 an AlN Wafer a Kombinatioun mat dëse SiC Wafere benotzt ginn, déi nach méi Flexibilitéit an High-Power elektroneschen Apparater ubidden. D'Wafers si fir eng nahtlos Integratioun mat Industrie-Standard Handhabungssystemer wéi Kassettsystemer entworf, fir d'Benotzungsfäegkeet a Masseproduktiounsastellungen ze garantéieren.
VET Energy bitt e komplette Portfolio vu Hallefleitsubstrater, dorënner Si Wafer, SiC Substrat, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3, an AlN Wafer. Eis divers Produktlinn entsprécht d'Bedierfnesser vu verschiddenen elektroneschen Uwendungen, vu Kraaftelektronik bis RF an Optoelektronik.
6 Zoll semi-isoléierend SiC Wafer bitt verschidde Virdeeler:
Héich Decompte Spannung: Déi breet Bandgap vu SiC erméiglecht méi héich Decompte Spannungen, wat méi kompakt an effizient Kraaftapparater erlaabt.
Héichtemperaturoperatioun: Déi exzellent thermesch Konduktivitéit vum SiC erméiglecht d'Operatioun bei méi héijen Temperaturen, d'Zouverlässegkeet vum Apparat ze verbesseren.
Niddereg On-Resistenz: SiC-Geräter weisen manner On-Resistenz, reduzéieren Kraaftverloscht an verbesseren d'Energieeffizienz.
VET Energy bitt personaliséierbar SiC Wafere fir Är spezifesch Ufuerderungen z'erreechen, dorënner verschidden Dicken, Dopingniveauen an Uewerflächefinishen. Eis Expert Team bitt technesch Ënnerstëtzung an After-Sales Service fir Ären Erfolleg ze garantéieren.
WAFERING SPESIFIKASJONER
*n-Pm=n-Typ Pm-Grade,n-Ps=n-Typ Ps-Grade,Sl=Semi-isoléierend
Artikel | 8 Zoll | 6 Zoll | 4 Zoll | ||
nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6 um | ≤6 um | |||
Bow(GF3YFCD)-Absolut Wäert | ≤15μm | ≤15μm | ≤25 μm | ≤15μm | |
Warp (GF3YFER) | ≤25 μm | ≤25 μm | ≤40 μm | ≤25 μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Beveling |
SURFACE FINISH
*n-Pm=n-Typ Pm-Grade,n-Ps=n-Typ Ps-Grade,Sl=Semi-isoléierend
Artikel | 8 Zoll | 6 Zoll | 4 Zoll | ||
nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
Surface Finish | Duebel Säit Optesch Polnesch, Si- Face CMP | ||||
SurfaceRoughness | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Rand Chips | Keen erlaabt (Längt a Breet≥0,5 mm) | ||||
Abriecher | Keen erlaabt | ||||
Kratzer (Si-Face) | Quty.≤5, Kumulativ | Quty.≤5, Kumulativ | Quty.≤5, Kumulativ | ||
Rëss | Keen erlaabt | ||||
Rand Ausgrenzung | 3 mm |