6 Zoll Semi isoléierend SiC Wafer

Kuerz Beschreiwung:

VET Energy 6 Zoll semi-isoléierend Siliziumkarbid (SiC) Wafer ass e qualitativ héichwäertegt Substrat ideal fir eng breet Palette vu Kraaftelektronik Uwendungen. VET Energy beschäftegt fortgeschratt Wuesstumstechniken fir SiC Wafere mat aussergewéinlecher Kristallqualitéit, gerénger Defektdicht an héijer Resistivitéit ze produzéieren.


Produit Detailer

Produit Tags

De 6 Zoll Semi Isoléierend SiC Wafer vu VET Energy ass eng fortgeschratt Léisung fir Héichkraaft an Héichfrequenz Uwendungen, bitt eng super thermesch Konduktivitéit an elektresch Isolatioun. Dës semi-isoléierend Wafere si wesentlech an der Entwécklung vun Apparater wéi RF Verstärker, Kraaftschalter an aner Héichspannungskomponenten. VET Energy suergt fir konsequent Qualitéit a Leeschtung, sou datt dës Wafere ideal sinn fir eng breet Palette vun Halbleiterfabrikatiounsprozesser.

Zousätzlech zu hiren aussergewéinlechen Isoléiereigenschaften sinn dës SiC Wafere kompatibel mat verschiddene Materialien, dorënner Si Wafer, SiC Substrat, SOI Wafer, SiN Substrate, an Epi Wafer, wat se villsäiteg fir verschidden Aarte vu Fabrikatiounsprozesser mécht. Ausserdeem kënne fortgeschratt Materialien wéi Gallium Oxide Ga2O3 an AlN Wafer a Kombinatioun mat dëse SiC Wafere benotzt ginn, déi nach méi Flexibilitéit an High-Power elektroneschen Apparater ubidden. D'Wafers si fir eng nahtlos Integratioun mat Industrie-Standard Handhabungssystemer wéi Kassettsystemer entworf, fir d'Benotzungsfäegkeet a Masseproduktiounsastellungen ze garantéieren.

VET Energy bitt e komplette Portfolio vu Hallefleitsubstrater, dorënner Si Wafer, SiC Substrat, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3, an AlN Wafer. Eis divers Produktlinn entsprécht d'Bedierfnesser vu verschiddenen elektroneschen Uwendungen, vu Kraaftelektronik bis RF an Optoelektronik.

6 Zoll semi-isoléierend SiC Wafer bitt verschidde Virdeeler:
Héich Decompte Spannung: Déi breet Bandgap vu SiC erméiglecht méi héich Decompte Spannungen, wat méi kompakt an effizient Kraaftapparater erlaabt.
Héichtemperaturoperatioun: Déi exzellent thermesch Konduktivitéit vum SiC erméiglecht d'Operatioun bei méi héijen Temperaturen, d'Zouverlässegkeet vum Apparat ze verbesseren.
Niddereg On-Resistenz: SiC-Geräter weisen manner On-Resistenz, reduzéieren Kraaftverloscht an verbesseren d'Energieeffizienz.

VET Energy bitt personaliséierbar SiC Wafere fir Är spezifesch Ufuerderungen z'erreechen, dorënner verschidden Dicken, Dopingniveauen an Uewerflächefinishen. Eis Expert Team bitt technesch Ënnerstëtzung an After-Sales Service fir Ären Erfolleg ze garantéieren.

第6页-36
第6页-35

WAFERING SPESIFIKASJONER

*n-Pm=n-Typ Pm-Grade,n-Ps=n-Typ Ps-Grade,Sl=Semi-isoléierend

Artikel

8 Zoll

6 Zoll

4 Zoll

nP

n-pm

n-Ps

SI

SI

TTV (GBIR)

≤6 um

≤6 um

Bow(GF3YFCD)-Absolut Wäert

≤15μm

≤15μm

≤25 μm

≤15μm

Warp (GF3YFER)

≤25 μm

≤25 μm

≤40 μm

≤25 μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Wafer Edge

Beveling

SURFACE FINISH

*n-Pm=n-Typ Pm-Grade,n-Ps=n-Typ Ps-Grade,Sl=Semi-isoléierend

Artikel

8 Zoll

6 Zoll

4 Zoll

nP

n-pm

n-Ps

SI

SI

Surface Finish

Duebel Säit Optesch Polnesch, Si- Face CMP

SurfaceRoughness

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm
C-Face Ra≤ 0,5 nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm
C-Face Ra≤0.5nm

Rand Chips

Keen erlaabt (Längt a Breet≥0,5 mm)

Abriecher

Keen erlaabt

Kratzer (Si-Face)

Quty.≤5, Kumulativ
Längt ≤0,5 × wafer Duerchmiesser

Quty.≤5, Kumulativ
Längt ≤0,5 × wafer Duerchmiesser

Quty.≤5, Kumulativ
Längt ≤0,5 × wafer Duerchmiesser

Rëss

Keen erlaabt

Rand Ausgrenzung

3 mm

tech_1_2_Gréisst
Zeechnen (2)

  • virdrun:
  • Nächste:

  • WhatsApp Online Chat!