Dëse 6 Zoll N Type SiC Wafer ass entwéckelt fir verbessert Leeschtung an extremen Konditiounen, sou datt et eng ideal Wiel ass fir Uwendungen déi héich Kraaft an Temperaturresistenz erfuerderen. Schlësselprodukter verbonne mat dëser Wafer enthalen Si Wafer, SiC Substrat, SOI Wafer, a SiN Substrat. Dës Materialien suergen fir eng optimal Leeschtung an enger Vielfalt vun Hallefleeder-Fabrikatiounsprozesser, wat Geräter erméiglecht, déi souwuel energieeffizient an haltbar sinn.
Fir Firmen, déi mat Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3, Cassette oder AlN Wafer schaffen, bitt VET Energy's 6 Zoll N Type SiC Wafer déi néideg Basis fir innovativ Produktentwécklung. Egal ob et an der High-Power Elektronik oder déi lescht an der RF-Technologie ass, dës Wafere suerge fir exzellent Konduktivitéit a minimal thermesch Resistenz, dréckt d'Grenze vun der Effizienz an der Leeschtung.
WAFERING SPESIFIKASJONER
*n-Pm=n-Typ Pm-Grade,n-Ps=n-Typ Ps-Grade,Sl=Semi-isoléierend
Artikel | 8 Zoll | 6 Zoll | 4 Zoll | ||
nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6 um | ≤6 um | |||
Bow(GF3YFCD)-Absolut Wäert | ≤15μm | ≤15μm | ≤25 μm | ≤15μm | |
Warp (GF3YFER) | ≤25 μm | ≤25 μm | ≤40 μm | ≤25 μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Beveling |
SURFACE FINISH
*n-Pm=n-Typ Pm-Grade,n-Ps=n-Typ Ps-Grade,Sl=Semi-isoléierend
Artikel | 8 Zoll | 6 Zoll | 4 Zoll | ||
nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
Surface Finish | Duebel Säit Optesch Polnesch, Si- Face CMP | ||||
SurfaceRoughness | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Rand Chips | Keen erlaabt (Längt a Breet≥0,5 mm) | ||||
Abriecher | Keen erlaabt | ||||
Kratzer (Si-Face) | Quty.≤5, Kumulativ | Quty.≤5, Kumulativ | Quty.≤5, Kumulativ | ||
Rëss | Keen erlaabt | ||||
Rand Ausgrenzung | 3 mm |