Silicon Carbide (SiC) Epitaxial Wafer

VET Energy Silicon Carbide (SiC) epitaxial Wafer ass en héich performant breet Bandgap Hallefleitmaterial mat exzellenter Héichtemperaturresistenz, héich Frequenz an héich Kraafteigenschaften. Et ass en ideale Substrat fir déi nei Generatioun vu Kraaftelektronesch Geräter. VET Energy benotzt fortgeschratt MOCVD epitaxial Technologie fir qualitativ héichwäerteg SiC epitaxial Schichten op SiC Substrate ze wuessen, fir déi exzellent Leeschtung a Konsistenz vum Wafer ze garantéieren.

Eis Silicon Carbide (SiC) Epitaxial Wafer bitt exzellent Kompatibilitéit mat verschiddene Hallefleitmaterialien, dorënner Si Wafer, SiC Substrat, SOI Wafer, a SiN Substrat. Mat senger robuster epitaxialer Schicht ënnerstëtzt et fortgeschratt Prozesser wéi Epi Wafer Wuesstum an Integratioun mat Materialien wéi Gallium Oxide Ga2O3 an AlN Wafer, fir villsäiteg Notzung iwwer verschidden Technologien ze garantéieren. Entworf fir kompatibel mat Industrie-Standard Kassettenhandhabungssystemer ze sinn, et garantéiert effizient a streamlined Operatiounen an Halbleiterfabrikatiounsëmfeld.

D'Produktlinn vum VET Energy ass net limitéiert op SiC epitaxial Wafere. Mir bidden och eng breet Palette vun semiconductor Substrat Material, dorënner Si Wafer, SiC Substrat, SOI Wafer, SiN Substrat, Epi Wafer, etc. Zousätzlech, entwéckelen mir och aktiv nei breet Bandgap semiconductor Materialien, wéi Gallium Oxide Ga2O3 an AlN Wafer, fir d'Demande vun der zukünfteger Kraaftelektronikindustrie fir méi héich Leeschtungsgeräter ze treffen.