실리콘 기반 GaN 에피택시

간단한 설명:


  • 원산지:중국
  • 결정 구조:FCCβ상
  • 밀도:3.21g/cm2
  • 경도:2500 비커스
  • 입자 크기:2~10μm
  • 화학적 순도:99.99995%
  • 열용량:640J·kg-1·K-1
  • 승화 온도:2700℃
  • 굽힘 강도:415Mpa(RT 4점)
  • 영률:430 Gpa (4pt 굴곡, 1300℃)
  • 열팽창(CTE):4.5 10-6K-1
  • 열전도율:300(W/mK)
  • 제품 세부정보

    제품 태그

    제품 설명

    당사는 흑연, 세라믹 및 기타 소재의 표면에 CVD 공법으로 SiC 코팅 공정 서비스를 제공하고 있으며, 탄소와 실리콘을 함유한 특수 가스를 고온에서 반응시켜 고순도의 SiC 분자, 코팅된 소재의 표면에 증착된 분자, SIC 보호층을 형성한다.

    주요 특징:

    1. 고열 산화 저항:

    산화 저항은 온도가 1600C만큼 높을 때 여전히 매우 좋습니다.

    2. 고순도 : 고온 염소화 조건에서 화학 기상 증착으로 만들어졌습니다.

    3. 내식성: 높은 경도, 조밀한 표면, 미세 입자.

    4. 내식성 : 산, 알칼리, 염분 및 유기 시약.

    CVD-SIC 코팅 주요 사양

    SiC-CVD 속성

    결정 구조 FCC β상
    밀도 g/cm ³ 3.21
    경도 비커스 경도 2500
    입자 크기 μm 2~10
    화학적 순도 % 99.99995
    열용량 J·kg-1·K-1 640
    승화 온도 2700
    굽힘 강도 MPa(RT 4점) 415
    영률 Gpa (4pt 굴곡, 1300℃) 430
    열팽창(CTE) 10-6K-1 4.5
    열전도율 (W/mK) 300

     

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