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2022 고품질 MOCVD 서셉터 중국에서 온라인으로 구매
겉보기 밀도: | 1.85g/cm3 |
전기 저항력: | 11μΩm |
굴곡 강도: | 49MPa(500kgf/cm2) |
해안 경도: | 58 |
금연 건강 증진 협회: | <5ppm |
열전도율: | 116W/mK(100kcal/mhr-℃) |
웨이퍼는 기술적으로 매우 까다로운 절차 덕분에 표면이 극도로 평평한 약 1mm 두께의 실리콘 조각입니다. 후속 사용에 따라 어떤 결정 성장 절차를 사용해야 하는지가 결정됩니다. 예를 들어 초크랄스키(Czochralski) 공정에서는 다결정 실리콘이 녹고 연필처럼 얇은 종자 결정이 용융된 실리콘에 담궈집니다. 그런 다음 종자 결정을 회전시키고 천천히 위쪽으로 당깁니다. 매우 무거운 거상인 단결정이 탄생합니다. 작은 단위의 고순도 도펀트를 추가하여 단결정의 전기적 특성을 선택하는 것이 가능합니다. 결정은 고객 사양에 따라 도핑된 후 연마되고 조각으로 절단됩니다. 다양한 추가 생산 단계를 거친 후 고객은 지정된 웨이퍼를 특수 포장으로 받아 생산 라인에서 즉시 사용할 수 있습니다.
웨이퍼는 전자 장치에 사용할 준비가 되기 전에 여러 단계를 거쳐야 합니다. 중요한 공정 중 하나는 웨이퍼가 흑연 서셉터 위에 운반되는 실리콘 에피택시입니다. 서셉터의 특성과 품질은 웨이퍼 에피택셜 층의 품질에 중요한 영향을 미칩니다.
에피택시 또는 MOCVD와 같은 박막 증착 단계의 경우 VET는 기판 또는 "웨이퍼"를 지지하는 데 사용되는 초순수 흑연 장비를 공급합니다. 공정의 핵심인 이 장비, MOCVD용 에피택시 서셉터 또는 위성 플랫폼은 먼저 증착 환경에 노출됩니다.
고온.
고진공.
공격적인 기체 전구체 사용.
오염 제로, 박리 현상 없음.
세척 작업 중 강산에 대한 내성