Wafer GaAs בגודל 4 אינץ'

תיאור קצר:

פרוסת VET Energy 4 אינץ' GaAs היא מצע מוליכים למחצה בטוהר גבוה הידוע בתכונות האלקטרוניות המצוינות שלו, מה שהופך אותו לבחירה אידיאלית עבור מגוון רחב של יישומים. VET Energy משתמש בטכניקות מתקדמות של צמיחת גבישים לייצור פרוסות GaAs עם אחידות יוצאת דופן, צפיפות פגמים נמוכה ורמות סימום מדויקות.


פירוט המוצר

תגיות מוצר

Wafer GaAs בגודל 4 אינץ' מבית VET Energy הוא חומר חיוני למכשירים מהירים ואופטואלקטרוניים, כולל מגברי RF, נוריות LED ותאים סולאריים. פרוסות אלו ידועות בניידות האלקטרונים הגבוהה שלהן וביכולתן לפעול בתדרים גבוהים יותר, מה שהופך אותן למרכיב מפתח ביישומי מוליכים למחצה מתקדמים. VET Energy מבטיח פרוסות GaAs איכותיות עם עובי אחיד ופגמים מינימליים, המתאימים למגוון תהליכי ייצור תובעניים.

Wafers GaAs בגודל 4 אינץ' אלה תואמים חומרים מוליכים למחצה שונים כגון Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, ו-SiN Substrate, מה שהופך אותם לרב-תכליתיים לשילוב בארכיטקטורות מכשירים שונות. בין אם הם משמשים לייצור Epi Wafer או לצד חומרים חדישים כמו Gallium Oxide Ga2O3 ו-AlN Wafer, הם מציעים בסיס אמין לאלקטרוניקה מהדור הבא. בנוסף, הפרוסים תואמים באופן מלא למערכות טיפול מבוססות קלטות, מה שמבטיח פעולות חלקות הן בסביבות מחקר והן בסביבות ייצור בנפח גבוה.

VET Energy מציעה סל מקיף של מצעים מוליכים למחצה, כולל Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3 ו-AlN Wafer. קו המוצרים המגוון שלנו נותן מענה לצרכים של יישומים אלקטרוניים שונים, מאלקטרוניקה כוח ועד RF ואלקטרוניקה אופטו.

VET Energy מציעה פרוסות GaAs הניתנות להתאמה אישית כדי לענות על הדרישות הספציפיות שלך, כולל רמות סימום שונות, כיוונים וגימורים שונים של פני השטח. צוות המומחים שלנו מספק תמיכה טכנית ושירות לאחר המכירה כדי להבטיח את הצלחתך.

第6页-36
第6页-35

מפרט WAFING

*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-Ps-Grade,Sl=Smi-Insulating

פָּרִיט

8 אינץ'

6 אינץ'

4 אינץ'

nP

n-pm

n-Ps

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6אום

≤6אום

Bow(GF3YFCD)-ערך אבסולוטי

≤15 מיקרומטר

≤15 מיקרומטר

≤25 מיקרומטר

≤15 מיקרומטר

עיוות (GF3YFER)

≤25 מיקרומטר

≤25 מיקרומטר

≤40 מיקרומטר

≤25 מיקרומטר

LTV(SBIR)-10mmx10mm

< 2 מיקרומטר

Wafer Edge

שיפוע

גימור פני השטח

*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-Ps-Grade,Sl=Smi-Insulating

פָּרִיט

8 אינץ'

6 אינץ'

4 אינץ'

nP

n-pm

n-Ps

SI

SI

גימור פני השטח

פוליש אופטי דו צדדי, Si-Face CMP

חספוס פני השטח

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm
C-Face Ra≤ 0.5nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm
C-Face Ra≤0.5nm

צ'יפס אדג'

אין מותר (אורך ורוחב≥0.5 מ"מ)

כניסות

אין מותר

שריטות (Si-Face)

כמות.≤5, מצטבר
אורך≤0.5×קוטר פרוס

כמות.≤5, מצטבר
אורך≤0.5×קוטר פרוס

כמות.≤5, מצטבר
אורך≤0.5×קוטר פרוס

סדקים

אין מותר

אי הכללת קצה

3 מ"מ

tech_1_2_size
下载 (2)

  • קוֹדֵם:
  • הַבָּא:

  • WhatsApp צ'אט מקוון!