רקיק SiC חצי מבודד בגודל 6 אינץ'

תיאור קצר:

פרוסת סיליקון קרביד (SiC) מבודדת למחצה של VET Energy בגודל 6 אינץ' היא מצע איכותי ואידיאלי עבור מגוון רחב של יישומי חשמל. VET Energy משתמשת בטכניקות צמיחה מתקדמות לייצור פרוסות SiC עם איכות גביש יוצאת דופן, צפיפות פגמים נמוכה והתנגדות גבוהה.


פירוט המוצר

תגיות מוצר

רקיקת SiC חצי מבודדת בגודל 6 אינץ' מבית VET Energy היא פתרון מתקדם ליישומי הספק גבוה ותדר גבוה, המציע מוליכות תרמית מעולה ובידוד חשמלי. פרוסות חצי מבודדות אלו חיוניות בפיתוח מכשירים כגון מגברי RF, מתגי מתח ורכיבי מתח גבוה אחרים. VET Energy מבטיח איכות וביצועים עקביים, מה שהופך את הפרוסים הללו לאידיאליים עבור מגוון רחב של תהליכי ייצור מוליכים למחצה.

בנוסף למאפייני הבידוד הבולטים שלהם, פרוסות SiC אלה תואמות למגוון חומרים, כולל Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, ו-Epi Wafer, מה שהופך אותם למגוון עבור סוגים שונים של תהליכי ייצור. יתר על כן, ניתן להשתמש בחומרים מתקדמים כמו Gallium Oxide Ga2O3 ו-AlN Wafer בשילוב עם פרוסות SiC אלו, המספקים גמישות רבה עוד יותר במכשירים אלקטרוניים בעלי הספק גבוה. הפרוסים נועדו לאינטגרציה חלקה עם מערכות טיפול סטנדרטיות בתעשייה כמו מערכות קסטה, מה שמבטיח קלות שימוש בהגדרות של ייצור המוני.

VET Energy מציעה סל מקיף של מצעים מוליכים למחצה, כולל Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3 ו-AlN Wafer. קו המוצרים המגוון שלנו נותן מענה לצרכים של יישומים אלקטרוניים שונים, מאלקטרוניקה כוח ועד RF ואלקטרוניקה אופטו.

פרוסות SiC מבודדות למחצה בגודל 6 אינץ' מציעה מספר יתרונות:
מתח פירוק גבוה: מרווח הפס הרחב של SiC מאפשר מתחי פירוק גבוהים יותר, המאפשרים התקני כוח קומפקטיים ויעילים יותר.
פעולה בטמפרטורה גבוהה: המוליכות התרמית המעולה של SiC מאפשרת פעולה בטמפרטורות גבוהות יותר, ומשפרת את אמינות המכשיר.
התנגדות הפעלה נמוכה: התקני SiC מציגים התנגדות הפעלה נמוכה יותר, מפחיתים את הפסדי החשמל ומשפרים את יעילות האנרגיה.

VET Energy מציעה פרוסות SiC הניתנות להתאמה אישית כדי לענות על הדרישות הספציפיות שלך, כולל עובי שונה, רמות סימום וגימור משטח. צוות המומחים שלנו מספק תמיכה טכנית ושירות לאחר המכירה כדי להבטיח את הצלחתך.

第6页-36
第6页-35

מפרט WAFING

*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-Ps-Grade,Sl=Smi-Insulating

פָּרִיט

8 אינץ'

6 אינץ'

4 אינץ'

nP

n-pm

n-Ps

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6אום

≤6אום

Bow(GF3YFCD)-ערך אבסולוטי

≤15 מיקרומטר

≤15 מיקרומטר

≤25 מיקרומטר

≤15 מיקרומטר

עיוות (GF3YFER)

≤25 מיקרומטר

≤25 מיקרומטר

≤40 מיקרומטר

≤25 מיקרומטר

LTV(SBIR)-10mmx10mm

< 2 מיקרומטר

Wafer Edge

שיפוע

גימור פני השטח

*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-Ps-Grade,Sl=Smi-Insulating

פָּרִיט

8 אינץ'

6 אינץ'

4 אינץ'

nP

n-pm

n-Ps

SI

SI

גימור פני השטח

פוליש אופטי דו צדדי, Si-Face CMP

חספוס פני השטח

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm
C-Face Ra≤ 0.5nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm
C-Face Ra≤0.5nm

צ'יפס אדג'

אין מותר (אורך ורוחב≥0.5 מ"מ)

כניסות

אין מותר

שריטות (Si-Face)

כמות.≤5, מצטבר
אורך≤0.5×קוטר פרוס

כמות.≤5, מצטבר
אורך≤0.5×קוטר פרוס

כמות.≤5, מצטבר
אורך≤0.5×קוטר פרוס

סדקים

אין מותר

אי הכללת קצה

3 מ"מ

tech_1_2_size
下载 (2)

  • קוֹדֵם:
  • הַבָּא:

  • WhatsApp צ'אט מקוון!