Vassoio per fogli epitassiali in carburo di silicio per forno epitassiale a semiconduttore

Breve descrizione:

Il vassoio per fogli epitassiali in carburo di silicio VET Energy è un prodotto ad alte prestazioni progettato per fornire prestazioni costanti e affidabili per un periodo prolungato. Ha un'ottima resistenza al calore e uniformità termica, elevata purezza e resistenza all'erosione, che lo rendono la soluzione perfetta per le applicazioni di lavorazione dei wafer.


Dettagli del prodotto

Tag dei prodotti

Induttori SiC1
Induttori SiC2

Il vassoio in fogli di carburo di silicio è un componente chiave utilizzato in vari processi di produzione di semiconduttori. Utilizziamo la nostra tecnologia brevettata per realizzare vassoi in fogli di carburo di silicio con purezza estremamente elevata, buona uniformità del rivestimento e un'eccellente durata, nonché elevate proprietà di resistenza chimica e stabilità termica.

VET Energy è il vero produttore di prodotti personalizzati in grafite e carburo di silicio con diversi rivestimenti come SiC, Tac, carbonio pirolitico, carbonio vetroso, ecc., può fornire varie parti personalizzate per l'industria dei semiconduttori e fotovoltaica. Il nostro team tecnico proviene dai migliori istituti di ricerca nazionali e può fornirti soluzioni materiali più professionali.

Sviluppiamo continuamente processi avanzati per fornire materiali sempre più avanzati e abbiamo elaborato un'esclusiva tecnologia brevettata, che può rendere il legame tra il rivestimento e il substrato più stretto e meno incline al distacco.

Caratteristiche dei nostri prodotti:

1. Resistenza all'ossidazione ad alta temperatura fino a 1700 ℃.
2. Elevata purezza e uniformità termica
3. Eccellente resistenza alla corrosione: acidi, alcali, sale e reagenti organici.

4. Elevata durezza, superficie compatta, particelle fini.
5. Durata di servizio più lunga e più durevole

CVD SiC薄膜基本物理性能

Proprietà fisiche di base del SiC CVDrivestimento

性质 / Proprietà

典型数值 /Valore tipico

晶体结构 / Struttura in cristallo

Fase β dell'FCC多晶,主要为(111)取向

密度 / Densità

3,21 g/cm³

硬度 / Durezza

2500 tonnellate di carico (carico di 500 g)

晶粒大小 / Granulometria

2~10μm

纯度 / Purezza chimica

99,99995%

热容 / Capacità termica

640 J·kg-1·K-1

升华温度 /Temperatura di sublimazione

2700 ℃

抗弯强度 / Resistenza alla flessione

415 MPa RT a 4 punti

杨氏模量 / Modulo di Young

Curvatura 4 punti 430 Gpa, 1300 ℃

导热系数 /TermelConduttività

300W·m-1·K-1

热膨胀系数 / Dilatazione termica (CTE)

4,5×10-6K-1

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Un caloroso benvenuto a visitare la nostra fabbrica, disponiamo di ulteriori discussioni!

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生产设备

 

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