Parti di semiconduttori per applicazioni a semiconduttore in grafite ad alta purezza riutilizzabili personalizzate ed economiche

Breve descrizione:

Applicazione: Parti di semiconduttori
Resistenza (μΩ.m): 8-10 Ohm
Porosità (%): 12% massimo
Luogo di origine: Zhejiang, Cina
Dimensioni Personalizzato
Guadagno dimensione: <=325 maglie
Certificato: ISO9001:2015
Dimensioni e forma: Personalizzato


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Parti di semiconduttori per applicazioni a semiconduttore in grafite ad alta purezza riutilizzabili personalizzate ed economiche

Applicazione: Parti di semiconduttori
Resistenza (μΩ.m): 8-10 Ohm
Porosità (%): 12% massimo
Luogo di origine: Zhejiang, Cina
Dimensioni Personalizzato
Guadagno dimensione: <=325 maglie
Certificato: ISO9001:2015
Dimensioni e forma: Personalizzato

Parti di semiconduttori per applicazioni a semiconduttore in grafite ad alta purezza riutilizzabili personalizzate ed economicheParti di semiconduttori per applicazioni a semiconduttore in grafite ad alta purezza riutilizzabili personalizzate ed economicheParti di semiconduttori per applicazioni a semiconduttore in grafite ad alta purezza riutilizzabili personalizzate ed economicheParti di semiconduttori per applicazioni a semiconduttore in grafite ad alta purezza riutilizzabili personalizzate ed economiche

 


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