Ora disponiamo di una forza lavoro altamente efficiente per gestire le richieste dei consumatori. Il nostro obiettivo è "soddisfare il consumatore al 100% grazie al nostro prodotto o servizio eccellente, al prezzo di vendita e al servizio del nostro equipaggio" e trarre piacere da una grande popolarità tra la clientela. Con molte fabbriche, siamo in grado di offrire un'ampia gamma di prezzi scontati GaN-Basedepitassiali su substrati Sic 4′′. Diamo un cordiale benvenuto ai piccoli compagni d'affari di ogni ceto sociale, speriamo di stabilire un business amichevole e cooperativo per entrare in contatto con voi e raggiungere un obiettivo vantaggioso per tutti.
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Supporti wafer MOCVD in grafite con rivestimento SiC
Tutti i nostri suscettori sono realizzati in grafite isostatica ad alta resistenza. Approfittate dell'elevata purezza delle nostre grafiti, sviluppate appositamente per processi impegnativi come l'epitassia, la crescita dei cristalli, l'impianto ionico e l'incisione al plasma, nonché per la produzione di chip LED.
Descrizione del prodotto
Il rivestimento SiC del substrato di grafite per applicazioni a semiconduttore produce una parte con purezza e resistenza superiori all'atmosfera ossidante.
CVD SiC o CVI SiC viene applicato alla grafite di parti dal design semplice o complesso. Il rivestimento può essere applicato in vari spessori e su parti molto grandi.
Comp
I vantaggi speciali dei nostri suscettori in grafite rivestiti in SiC includono purezza estremamente elevata, rivestimento omogeneo e un'eccellente durata. Hanno anche elevate proprietà di resistenza chimica e stabilità termica.
Manteniamo tolleranze molto strette durante l'applicazione del rivestimento SiC, utilizzando lavorazioni meccaniche ad alta precisione per garantire un profilo uniforme del suscettore. Produciamo anche materiali con proprietà di resistenza elettrica ideali per l'uso in sistemi riscaldati a induzione. Tutti i componenti finiti sono dotati di certificato di purezza e conformità dimensionale.
Applicazione:
Caratteristiche:
· Eccellente resistenza agli shock termici
· Eccellente resistenza agli shock fisici
· Eccellente resistenza chimica
· Purezza estremamente elevata
· Disponibilità in forma complessa
· Utilizzabile in atmosfera ossidanteProprietà tipiche del materiale di base in grafite:
Densità apparente: | 1,85 g/cm3 |
Resistività elettrica: | 11μΩm |
Resistenza alla flessione: | 49 MPa (500 kgf/cm2) |
Durezza Shore: | 58 |
Cenere: | <5 ppm |
Conducibilità termica: | 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃) |
Ora disponiamo di una forza lavoro altamente efficiente per gestire le richieste dei consumatori. Il nostro obiettivo è "soddisfare il consumatore al 100% grazie al nostro prodotto o servizio eccellente, al prezzo di vendita e al servizio del nostro equipaggio" e trarre piacere da una grande popolarità tra la clientela. Con molte fabbriche, siamo in grado di offrire un'ampia gamma di prezzi scontati GaN-Basedepitassiali su substrati Sic 4′′. Diamo un cordiale benvenuto ai piccoli compagni d'affari di ogni ceto sociale, speriamo di stabilire un business amichevole e cooperativo per entrare in contatto con voi e raggiungere un obiettivo vantaggioso per tutti.
Prezzo scontabileSubstrati GaN cinesi e pellicole GaN, Non vediamo l'ora di collaborare con clienti in tutto il mondo. Crediamo di poterti soddisfare con i nostri prodotti di alta qualità e un servizio perfetto. Inoltre diamo un cordiale benvenuto ai clienti che visitano la nostra azienda e acquistano i nostri prodotti.