Filamento di renio puro professionale cinese - Mocvd

Breve descrizione:


  • Luogo d'origine:Cina
  • Struttura cristallina:Fase FCCβ
  • Densità:3,21 g/cm
  • Durezza:2500 Vickers
  • Granulometria:2~10μm
  • Purezza chimica:99,99995%
  • Capacità termica:640J·kg-1·K-1
  • Temperatura di sublimazione:2700 ℃
  • Forza flessionale:415 Mpa (RT 4 punti)
  • Modulo di Young:430 Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃)
  • Dilatazione Termica (CTE):4.510-6K-1
  • Conducibilità termica:300(W/MK)
  • Dettagli del prodotto

    Tag dei prodotti

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    Supporti in grafite rivestiti in SiC

    Descrizione del prodotto

    Manteniamo tolleranze molto strette durante l'applicazione del rivestimento SiC, utilizzando lavorazioni meccaniche ad alta precisione per garantire un profilo uniforme del suscettore. Produciamo anche materiali con proprietà di resistenza elettrica ideali per l'uso in sistemi riscaldati a induzione. Tutti i componenti finiti sono dotati di certificato di purezza e conformità dimensionale.

    La nostra azienda fornisce servizi di processo di rivestimento SiC con metodo CVD sulla superficie di grafite, ceramica e altri materiali, in modo che gas speciali contenenti carbonio e silicio reagiscano ad alta temperatura per ottenere molecole SiC di elevata purezza, molecole depositate sulla superficie dei materiali rivestiti, formando lo strato protettivo SIC. Il SIC formato è saldamente legato alla base di grafite, conferendo alla base di grafite proprietà speciali, rendendo così la superficie della grafite compatta, priva di porosità, resistente alle alte temperature, alla corrosione e all'ossidazione.

    2

    Il processo CVD offre una purezza estremamente elevata e una densità teorica del rivestimento SiC senza porosità. Inoltre, poiché il carburo di silicio è molto duro, può essere lucidato fino a ottenere una superficie a specchio. Il rivestimento CVD in carburo di silicio (SiC) ha offerto numerosi vantaggi, tra cui una superficie ad altissima purezza e un'estrema resistenza all'usura. Poiché i prodotti rivestiti offrono ottime prestazioni in condizioni di alto vuoto e alta temperatura, sono ideali per applicazioni nell'industria dei semiconduttori e in altri ambienti ultra puliti. Forniamo anche prodotti in grafite pirolitica (PG).

    Caratteristiche principali:

    1. Resistenza all'ossidazione ad alta temperatura:

    la resistenza all'ossidazione è ancora molto buona anche quando la temperatura arriva fino a 1600 C.

    2. Elevata purezza: prodotto mediante deposizione di vapori chimici in condizioni di clorazione ad alta temperatura.

    3. Resistenza all'erosione: elevata durezza, superficie compatta, particelle fini.

    4. Resistenza alla corrosione: acidi, alcali, sale e reagenti organici.

    Specifiche principali dei rivestimenti CVD-SIC:

    SiC-CVD

    Densità

    (g/cc)

    3.21

    Resistenza alla flessione

    (MPa)

    470

    Dilatazione termica

    (10-6/K)

    4

    Conduttività termica

    (W/mK)

    300

    Applicazione: Il rivestimento in carburo di silicio CVD è già stato applicato nelle industrie dei semiconduttori, come il vassoio MOCVD, l'RTP e la camera di incisione dell'ossido poiché il nitruro di silicio ha un'ottima resistenza agli shock termici e può sopportare il plasma ad alta energia.
    -Il carburo di silicio è ampiamente utilizzato nei semiconduttori e nei rivestimenti.

    Capacità di fornitura:

    10000 pezzo/pezzi al mese
    Imballaggio e consegna:
    Imballaggio: imballaggio standard e robusto
    Poli sacchetto + scatola + cartone + pallet
    Porta:
    Ningbo/Shenzhen/Shanghai
    Tempi di consegna:

    Quantità (pezzi) 1 – 1000 >1000
    Est. Tempo (giorni) 15 Da negoziare

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