CAMPO DI APPLICAZIONE
Applicazione e prestazioni del prodotto Applicazioni e usi del prodotto
Industria del cristallo singolo Si, GaN, AlN, zaffiro e altri piedistalli MOCVD. -Rivestimento a base di grafite per la crescita epitassiale di silicio monocristallino
Prestazioni principali: elevata purezza, resistenza all'erosione, elevata conduttività termica, processo MOCVD, rivestimento a base di grafite per crescita epitassiale GaN
resistenza alle alte temperature, basso coefficiente di dilatazione termica.
Conducibilità termica | 250 W/m²K | Metodo flash laser, RT |
Dilatazione Termica (CTE) | 4,5×10-6°K | Temperatura ambiente fino a 950 °C, dilatometro alla silice |
Proprietà | Valore | Metodo |
Densità | 3,21 g/cc | Galleggiante e dimensioni |
Calore specifico | 0,66 J/g°K | Flash laser pulsato |
Resistenza alla flessione | 450 MPa560 MPa | Curva a 4 punti, curva RT4 punti, 1300° |
Resistenza alla frattura | 2,94MPa·m1/2 | Microindentazione |
Durezza | 2800 | Vicker's, carico da 500 g |
Modulo elastico Modulo di Young | 450 GPa430 GPa | Curvatura 4 pt, curvatura RT4 pt, 1300 °C |
Dimensione del grano | 2 - 10 µm | SEM |
Purezza, struttura SEM, analisi dello spessore diRivestimento SiC
La purezza dei rivestimenti SiC su grafite utilizzando CVD arriva fino al 99,9995%. La sua struttura è fcc. I film di SiC rivestiti su grafite sono orientati (111) come mostrato nei dati XRD (Fig.1) che indicano la sua elevata qualità cristallina. Lo spessore del film di SiC è molto uniforme come mostrato in Fig. 2.
BASE EPITAXIALE IN SILICONE SINGOLO CRISTALLO
Prestazioni del prodotto e prospettive applicative.
Rivestito in carburo di silicio (SiC).La base è la base migliore per l'epitassia di silicio monocristallino e GaN, che è il componente principale del forno epitassia. La base è un accessorio fondamentale per la produzione del silicio monocristallino per circuiti integrati di grandi dimensioni. Ha elevata purezza, resistenza alle alte temperature, resistenza alla corrosione, buona tenuta all'aria e altre eccellenti caratteristiche del materiale.
Applicazione e utilizzo del prodotto
Rivestimento a base di grafite per crescita epitassiale di silicio monocristallino Adatto per macchine Aixtron, ecc. Spessore del rivestimento: 90~150um. Il diametro del cratere del wafer è 55 mm.
SOLARE FOTOVOLTAICO
GAupidpelitcubaetiaonnd
rivestimento del crogiolo in grafiteper silicio monocristallino mediante metodo straight-pull
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Officina senza polvere classe 1000
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Dettagli dell'imballaggio
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