Il wafer di silicio monocristallino da 8 pollici di VET Energy è una soluzione leader del settore per la fabbricazione di semiconduttori e dispositivi elettronici. Offrendo purezza e struttura cristallina superiori, questi wafer sono ideali per applicazioni ad alte prestazioni sia nel settore fotovoltaico che in quello dei semiconduttori. VET Energy garantisce che ogni wafer venga lavorato meticolosamente per soddisfare gli standard più elevati, fornendo un'eccellente uniformità e una finitura superficiale liscia, essenziali per la produzione di dispositivi elettronici avanzati.
Questi wafer di silicio monocristallini da 8 pollici sono compatibili con una gamma di materiali, tra cui Si Wafer, substrato SiC, wafer SOI, substrato SiN e sono particolarmente adatti per la crescita di epi wafer. La loro conduttività termica e le proprietà elettriche superiori li rendono una scelta affidabile per la produzione ad alta efficienza. Inoltre, questi wafer sono progettati per funzionare perfettamente con materiali come l'ossido di gallio Ga2O3 e il wafer AlN, offrendo un'ampia gamma di applicazioni dall'elettronica di potenza ai dispositivi RF. I wafer si adattano perfettamente anche ai sistemi a cassetta per ambienti di produzione automatizzati ad alto volume.
La linea di prodotti di VET Energy non si limita ai wafer di silicio. Forniamo inoltre un'ampia gamma di materiali per substrati semiconduttori, tra cui substrato SiC, wafer SOI, substrato SiN, wafer Epi, ecc., nonché nuovi materiali semiconduttori con ampio gap di banda come ossido di gallio Ga2O3 e wafer AlN. Questi prodotti possono soddisfare le esigenze applicative di diversi clienti nei settori dell'elettronica di potenza, della radiofrequenza, dei sensori e di altri settori.
VET Energy fornisce ai clienti soluzioni wafer personalizzate. Possiamo personalizzare wafer con diversa resistività, contenuto di ossigeno, spessore, ecc. in base alle esigenze specifiche dei clienti. Inoltre, forniamo anche supporto tecnico professionale e servizio post-vendita per aiutare i clienti a risolvere i vari problemi incontrati durante il processo di produzione.
SPECIFICHE DEL WAFER
*n-Pm=tipo n Grado Pm, n-Ps=tipo n Grado Ps, Sl=Semi-isolante
Articolo | 8 pollici | 6 pollici | 4 pollici | ||
nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Arco(GF3YFCD)-Valore assoluto | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Deformazione(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Bordo del wafer | Smussatura |
FINITURA SUPERFICIALE
*n-Pm=tipo n Grado Pm, n-Ps=tipo n Grado Ps, Sl=Semi-isolante
Articolo | 8 pollici | 6 pollici | 4 pollici | ||
nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
Finitura superficiale | Lucidatura ottica su doppio lato, Si-Face CMP | ||||
Rugosità superficiale | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2 nm | (5umx5um) Si-faccia Ra≤0,2 nm | |||
Chip di bordo | Nessuno consentito (lunghezza e larghezza ≥ 0,5 mm) | ||||
Rientri | Nessuno consentito | ||||
Graffi (Si-Face) | Qtà.≤5,cumulativo | Qtà.≤5,cumulativo | Qtà.≤5,cumulativo | ||
Crepe | Nessuno consentito | ||||
Esclusione dei bordi | 3 mm |