A szilícium-karbid (SiC) egy új összetett félvezető anyag. A szilícium-karbid nagy sávhézaggal (kb. 3-szor nagyobb a szilíciummal), nagy kritikus térerősséggel (körülbelül 10-szeres szilíciummal), magas hővezető képességgel (körülbelül háromszoros szilícium) rendelkezik. Ez egy fontos következő generációs félvezető anyag. A SiC bevonatokat széles körben használják a félvezetőiparban és a napelemes fotovoltaikában. Különösen a LED-ek epitaxiális növekedéséhez és a Si egykristályos epitaxiához használt szuszceptorokhoz van szükség SiC bevonat használatára. A világítás- és kijelzőiparban a LED-ek erős emelkedő tendenciája, valamint a félvezetőipar erőteljes fejlődése miatt,SiC bevonat terméknagyon jók a kilátások.
ALKALMAZÁSI MEZŐ
Tisztaság, SEM szerkezet, vastagságelemzésSiC bevonat
A grafiton lévő SiC bevonatok tisztasága CVD alkalmazásával eléri a 99,9995%-ot. Felépítése fcc. A grafittal bevont SiC filmek (111) orientációjúak, ahogyan az XRD adatokon (1. ábra) látható, ami jelzi a kiváló kristályos minőséget. A SiC film vastagsága nagyon egyenletes, amint az a 2. ábrán látható.
2. ábra: a béta-SiC film SEM és XRD vastagsága egyenletes grafiton
CVD SiC vékonyréteg SEM adatai, a kristályméret 2 ~ 1 Opm
A CVD SiC film kristályszerkezete egy arcközpontú kockaszerkezet, és a film növekedési orientációja közel 100%
Szilícium-karbid (SiC) bevonattalAz alap a legjobb alap az egykristályos szilíciumhoz és a GaN epitaxiához, amely az epitaxiás kemence központi eleme. Az alap a nagyméretű integrált áramkörök monokristályos szilíciumának kulcsfontosságú gyártási tartozéka. Nagy tisztaságú, magas hőmérséklet-állósággal, korrózióállósággal, jó légtömörséggel és egyéb kiváló anyagjellemzőkkel rendelkezik.
A termék alkalmazása és felhasználása
Grafit alapbevonat egykristályos szilícium epitaxiális növesztéshez Alkalmas Aixtron gépekhez stb. Bevonat vastagság: 90 ~ 150 um Az ostyakáter átmérője 55 mm.
Feladás időpontja: 2022. március 14