Vijesti

Uvod u treću generaciju poluvodiča GaN i srodnu epitaksijalnu tehnologiju
od admina 24-06-25
1. Poluvodiči treće generacije Tehnologija poluvodiča prve generacije razvijena je na temelju poluvodičkih materijala kao što su Si i Ge. To je materijalna osnova za razvoj tranzistora i tehnologije integriranih krugova. Poluvodički materijali prve generacije postavili su početak...
Pročitaj više
Studija numeričke simulacije utjecaja poroznog grafita na rast kristala silicijevog karbida
od admina 24-06-18
Osnovni proces rasta kristala SiC dijeli se na sublimaciju i razgradnju sirovina na visokoj temperaturi, transport tvari plinovite faze pod djelovanjem temperaturnog gradijenta i rekristalizacijski rast tvari plinovite faze na klici kristala. Na temelju toga,...
Pročitaj više
Vrste specijalnog grafita
od admina 24-06-17
Specijalni grafit je grafitni materijal visoke čistoće, velike gustoće i čvrstoće i ima izvrsnu otpornost na koroziju, stabilnost na visokim temperaturama i veliku električnu vodljivost. Izrađuje se od prirodnog ili umjetnog grafita nakon toplinske obrade na visokoj temperaturi i obrade pod visokim pritiskom...
Pročitaj više
Analiza opreme za taloženje tankog filma – principi i primjene PECVD/LPCVD/ALD opreme
od admina 24-06-12
Taloženje tankog filma je nanošenje sloja filma na glavni materijal supstrata poluvodiča. Ovaj film može biti izrađen od različitih materijala, kao što je izolacijski spoj silicijev dioksid, poluvodički polisilicij, metalni bakar, itd. Oprema koja se koristi za premazivanje naziva se taloženje tankog filma...
Pročitaj više
Važni materijali koji određuju kvalitetu rasta monokristalnog silicija – toplinsko polje
od admina 24-06-12
Proces rasta monokristalnog silicija u potpunosti se odvija u toplinskom polju. Dobro toplinsko polje pogoduje poboljšanju kvalitete kristala i ima veću učinkovitost kristalizacije. Dizajn toplinskog polja uvelike određuje promjene u temperaturnim gradijentima...
Pročitaj više
Koje su tehničke poteškoće peći za rast kristala silicijevog karbida?
od admina 24-06-07
Peć za rast kristala osnovna je oprema za rast kristala silicijevog karbida. Sličan je tradicionalnoj peći za rast kristala od kristalnog silicija. Struktura peći nije vrlo komplicirana. Uglavnom se sastoji od tijela peći, sustava grijanja, mehanizma prijenosa zavojnice...
Pročitaj više
Koji su nedostaci epitaksijalnog sloja silicijevog karbida
od admina 24-06-05
Temeljna tehnologija za razvoj SiC epitaksijalnih materijala je prije svega tehnologija kontrole grešaka, posebno za tehnologiju kontrole grešaka koja je sklona kvaru uređaja ili degradaciji pouzdanosti. Proučavanje mehanizma širenja defekata supstrata u epi...
Pročitaj više
Oksidirano stojeće zrno i tehnologija epitaksijalnog rasta-Ⅱ
od admina 24-05-30
3. Epitaksijalni rast tankog filma Supstrat pruža fizički potporni sloj ili vodljivi sloj za Ga2O3 energetske uređaje. Sljedeći važan sloj je kanalni sloj ili epitaksijalni sloj koji se koristi za naponsku otpornost i transport nosača. Kako bi se povećao probojni napon i smanjio vod...
Pročitaj više
Monokristal galijevog oksida i tehnologija epitaksijalnog rasta
od admina 24-05-30
Širokopojasni poluvodiči (WBG) predstavljeni silicijevim karbidom (SiC) i galijevim nitridom (GaN) dobili su široku pozornost. Ljudi imaju velika očekivanja glede mogućnosti primjene silicij karbida u električnim vozilima i električnim mrežama, kao i mogućnosti primjene galija...
Pročitaj više