CVD-SiCO revestimento ten as características de estrutura uniforme, material compacto, resistencia a altas temperaturas, resistencia á oxidación, alta pureza, resistencia a ácidos e álcalis e reactivo orgánico, con propiedades físicas e químicas estables.

En comparación cos materiais de grafito de alta pureza, o grafito comeza a oxidarse a 400 °C, o que provocará unha perda de po debido á oxidación, o que provocará contaminación ambiental para dispositivos periféricos e cámaras de baleiro e aumentará as impurezas do ambiente de alta pureza.

Non obstante, o revestimento de SiC pode manter a estabilidade física e química a 1600 graos, é amplamente utilizado na industria moderna, especialmente na industria de semicondutores.

A nosa empresa ofrece servizos de proceso de revestimento de SiC mediante o método CVD na superficie de grafito, cerámica e outros materiais, de xeito que os gases especiais que conteñen carbono e silicio reaccionen a alta temperatura para obter moléculas de SiC de alta pureza, moléculas depositadas na superficie dos materiais revestidos, formando capa protectora SIC. O SIC formado está firmemente unido á base de grafito, dándolle propiedades especiais á base de grafito, facendo que a superficie do grafito sexa compacta, libre de porosidade, resistencia a altas temperaturas, resistencia á corrosión e á oxidación.

Principais características:

1. Resistencia á oxidación a alta temperatura:

a resistencia á oxidación aínda é moi boa cando a temperatura é tan alta como 1600 C.

2. Alta pureza: feita por deposición química de vapor en condicións de cloración a alta temperatura.

3. Resistencia á erosión: alta dureza, superficie compacta, partículas finas.

4. Resistencia á corrosión: ácido, álcali, sal e reactivos orgánicos.

Especificacións principais dos revestimentos CVD-SIC: