Η σειρά προϊόντων της VET Energy δεν περιορίζεται στο GaN σε γκοφρέτες SiC. Παρέχουμε επίσης ένα ευρύ φάσμα υλικών υποστρώματος ημιαγωγών, συμπεριλαμβανομένων των Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, κ.λπ. Γκοφρέτα, για να καλύψει τη ζήτηση της μελλοντικής βιομηχανίας ηλεκτρονικών ισχύος για συσκευές υψηλότερης απόδοσης.
Η VET Energy παρέχει ευέλικτες υπηρεσίες προσαρμογής και μπορεί να προσαρμόσει τα επιταξιακά στρώματα GaN διαφορετικού πάχους, διαφορετικών τύπων ντόπινγκ και διαφορετικών μεγεθών γκοφρέτας σύμφωνα με τις συγκεκριμένες ανάγκες των πελατών. Επιπλέον, παρέχουμε επίσης επαγγελματική τεχνική υποστήριξη και εξυπηρέτηση μετά την πώληση για να βοηθήσουμε τους πελάτες να αναπτύξουν γρήγορα ηλεκτρονικές συσκευές ισχύος υψηλής απόδοσης.
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ ΓΚΟΦΡΟΛΙΑΣ
*n-Pm=n-τύπου Pm-Grade,n-Ps=n-τύπου Ps-Grade,Sl=Ημιμονωτικό
Είδος | 8-ιντσών | 6-ιντσών | 4-ιντσών | ||
nP | μ.μ | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6 μ | ≤6 μ | |||
Bow(GF3YFCD)-Απόλυτη τιμή | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Γκοφρέτα Edge | Λοξοτομή |
ΦΙΝΙΡΙΣΜΑ ΕΠΙΦΑΝΕΙΑΣ
*n-Pm=n-τύπου Pm-Grade,n-Ps=n-τύπου Ps-Grade,Sl=Ημιμονωτικό
Είδος | 8-ιντσών | 6-ιντσών | 4-ιντσών | ||
nP | μ.μ | n-Ps | SI | SI | |
Φινίρισμα επιφάνειας | Διπλής όψης Optical Polish, Si- Face CMP | ||||
Επιφανειακή τραχύτητα | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
Τσιπς άκρων | Δεν επιτρέπεται (μήκος και πλάτος≥0,5mm) | ||||
Εσοχές | Δεν επιτρέπεται | ||||
Γρατσουνιές (Si-Face) | Ποσ.≤5,Σωρευτικό | Ποσ.≤5,Σωρευτικό | Ποσ.≤5,Σωρευτικό | ||
Ρωγμές | Δεν επιτρέπεται | ||||
Εξαίρεση άκρων | 3 χιλιοστά |