Γκοφρέτα πυριτίου τύπου P 6 ιντσών

Επιλεγμένη εικόνα 6 ιντσών τύπου P Silicon Wafer

Σύντομη περιγραφή:

Η γκοφρέτα πυριτίου τύπου P 6 ιντσών VET Energy είναι ένα υψηλής ποιότητας υλικό βάσης ημιαγωγών, που χρησιμοποιείται ευρέως στην κατασκευή διαφόρων ηλεκτρονικών συσκευών. Το VET Energy χρησιμοποιεί προηγμένη διαδικασία ανάπτυξης CZ για να διασφαλίσει ότι η γκοφρέτα έχει εξαιρετική ποιότητα κρυστάλλου, χαμηλή πυκνότητα ελαττώματος και υψηλή ομοιομορφία.

Στείλτε μας email Λήψη ως PDF

Λεπτομέρεια προϊόντος

Ετικέτες προϊόντων

Η σειρά προϊόντων της VET Energy δεν περιορίζεται σε γκοφρέτες πυριτίου. Παρέχουμε επίσης μια ευρεία γκάμα υλικών υποστρώματος ημιαγωγών, συμπεριλαμβανομένων των SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, κ.λπ., καθώς και νέα υλικά ημιαγωγών ευρείας ζώνης όπως οξείδιο του γαλλίου Ga2O3 και AlN Wafer. Αυτά τα προϊόντα μπορούν να καλύψουν τις ανάγκες εφαρμογών διαφορετικών πελατών σε ηλεκτρονικά ισχύος, ραδιοσυχνότητες, αισθητήρες και άλλους τομείς.

Πεδία εφαρμογής:
•Ολοκληρωμένα κυκλώματα:Ως βασικό υλικό για την κατασκευή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων, οι γκοφρέτες πυριτίου τύπου P χρησιμοποιούνται ευρέως σε διάφορα λογικά κυκλώματα, μνήμες κ.λπ.
•Συσκευές ισχύος:Οι γκοφρέτες πυριτίου τύπου P μπορούν να χρησιμοποιηθούν για την κατασκευή συσκευών ισχύος, όπως τρανζίστορ ισχύος και διόδους.
•Αισθητήρες:Οι γκοφρέτες πυριτίου τύπου P μπορούν να χρησιμοποιηθούν για την κατασκευή διαφόρων τύπων αισθητήρων, όπως αισθητήρες πίεσης, αισθητήρες θερμοκρασίας κ.λπ.
•Ηλιακά κύτταρα:Οι γκοφρέτες πυριτίου τύπου P είναι ένα σημαντικό συστατικό των ηλιακών κυψελών.

Η VET Energy παρέχει στους πελάτες εξατομικευμένες λύσεις γκοφρέτας και μπορεί να προσαρμόσει τις γκοφρέτες με διαφορετική ειδική αντίσταση, διαφορετική περιεκτικότητα σε οξυγόνο, διαφορετικό πάχος και άλλες προδιαγραφές σύμφωνα με τις συγκεκριμένες ανάγκες των πελατών. Επιπλέον, παρέχουμε επίσης επαγγελματική τεχνική υποστήριξη και εξυπηρέτηση μετά την πώληση για να βοηθήσουμε τους πελάτες να λύσουν διάφορα προβλήματα που αντιμετωπίζουν στη διαδικασία παραγωγής.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ ΓΚΟΦΡΟΛΙΑΣ

*n-Pm=n-τύπου Pm-Grade,n-Ps=n-τύπου Ps-Grade,Sl=Ημιμονωτικό

Είδος	8-ιντσών	6-ιντσών			4-ιντσών
Είδος	nP	μ.μ	n-Ps	SI	SI
TTV (GBIR)	≤6 μ	≤6 μ
Bow(GF3YFCD)-Απόλυτη τιμή	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Warp(GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV(SBIR)-10mmx10mm	<2μm
Γκοφρέτα Edge	Λοξοτομή

ΦΙΝΙΡΙΣΜΑ ΕΠΙΦΑΝΕΙΑΣ

*n-Pm=n-τύπου Pm-Grade,n-Ps=n-τύπου Ps-Grade,Sl=Ημιμονωτικό

Είδος	8-ιντσών	6-ιντσών			4-ιντσών
	nP	μ.μ	n-Ps	SI	SI
Φινίρισμα επιφάνειας	Διπλής όψης Optical Polish, Si- Face CMP
Επιφανειακή τραχύτητα	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm C-Face Ra≤ 0,5nm			(5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm C-Face Ra≤0,5nm
Τσιπς άκρης	Δεν επιτρέπεται (μήκος και πλάτος≥0,5mm)
Εσοχές	Δεν επιτρέπεται
Γρατσουνιές (Si-Face)	Ποσ.≤5,Σωρευτικό Μήκος≤0,5×διάμετρος γκοφρέτας	Ποσ.≤5,Σωρευτικό Μήκος≤0,5×διάμετρος γκοφρέτας			Ποσ.≤5,Σωρευτικό Μήκος≤0,5×διάμετρος γκοφρέτας
Ρωγμές	Δεν επιτρέπεται
Εξαίρεση άκρων	3 χιλιοστά