Γκοφρέτα πυριτίου 8 ιντσών υψηλής καθαρότητας

Επιλεγμένη εικόνα γκοφρέτας πυριτίου 8 ιντσών υψηλής καθαρότητας

Σύντομη περιγραφή:

Οι γκοφρέτες πυριτίου 8 ιντσών υψηλής καθαρότητας της VET Energy είναι η ιδανική επιλογή για την κατασκευή ημιαγωγών. Κατασκευασμένες με χρήση προηγμένης τεχνολογίας, αυτές οι γκοφρέτες έχουν εξαιρετική ποιότητα κρυστάλλου και επιπεδότητα επιφάνειας, καθιστώντας τις κατάλληλες για την κατασκευή μιας ποικιλίας μικροηλεκτρονικών συσκευών.

Στείλτε μας email Λήψη ως PDF

Λεπτομέρεια προϊόντος

Ετικέτες προϊόντων

Οι γκοφρέτες πυριτίου 8 ιντσών της VET Energy χρησιμοποιούνται ευρέως σε ηλεκτρονικά ισχύος, αισθητήρες, ολοκληρωμένα κυκλώματα και άλλα πεδία. Ως ηγέτης στη βιομηχανία ημιαγωγών, δεσμευόμαστε να παρέχουμε υψηλής ποιότητας προϊόντα Si Wafer για να ανταποκριθούμε στις αυξανόμενες ανάγκες των πελατών μας.

Εκτός από το Si Wafer, η VET Energy παρέχει επίσης ένα ευρύ φάσμα υλικών υποστρώματος ημιαγωγών, συμπεριλαμβανομένων των SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, κ.λπ. Η σειρά προϊόντων μας καλύπτει επίσης νέα υλικά ημιαγωγών ευρείας ζώνης όπως οξείδιο του γαλλίου Ga2O3 και AlN Wafer, παρέχοντας ισχυρή υποστήριξη για την ανάπτυξη ηλεκτρονικών συσκευών ισχύος επόμενης γενιάς.

Η VET Energy διαθέτει προηγμένο εξοπλισμό παραγωγής και πλήρες σύστημα διαχείρισης ποιότητας για να διασφαλίσει ότι κάθε γκοφρέτα πληροί αυστηρά βιομηχανικά πρότυπα. Τα προϊόντα μας δεν έχουν μόνο εξαιρετικές ηλεκτρικές ιδιότητες, αλλά έχουν επίσης καλή μηχανική αντοχή και θερμική σταθερότητα.

Η VET Energy παρέχει στους πελάτες εξατομικευμένες λύσεις γκοφρέτας, συμπεριλαμβανομένων γκοφρετών διαφορετικών μεγεθών, τύπων και συγκεντρώσεων ντόπινγκ. Επιπλέον, παρέχουμε επίσης επαγγελματική τεχνική υποστήριξη και εξυπηρέτηση μετά την πώληση για να βοηθήσουμε τους πελάτες να λύσουν διάφορα προβλήματα που αντιμετωπίζουν κατά τη διαδικασία παραγωγής.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ ΓΚΟΦΡΟΛΙΑΣ

*n-Pm=n-τύπου Pm-Grade,n-Ps=n-τύπου Ps-Grade,Sl=Ημιμονωτικό

Είδος	8-ιντσών	6-ιντσών			4-ιντσών
Είδος	nP	n-Mm	n-Ps	SI	SI
TTV (GBIR)	≤6 μ	≤6 μ
Bow(GF3YFCD)-Απόλυτη τιμή	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Warp(GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV(SBIR)-10mmx10mm	<2μm
Γκοφρέτα Edge	Λοξοτομή

ΦΙΝΙΡΙΣΜΑ ΕΠΙΦΑΝΕΙΑΣ

*n-Pm=n-τύπου Pm-Grade,n-Ps=n-τύπου Ps-Grade,Sl=Ημιμονωτικό

Είδος	8-ιντσών	6-ιντσών			4-ιντσών
	nP	n-Mm	n-Ps	SI	SI
Φινίρισμα επιφάνειας	Διπλής όψης Optical Polish, Si- Face CMP
Επιφανειακή τραχύτητα	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm C-Face Ra≤ 0,5nm			(5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm C-Face Ra≤0,5nm
Τσιπς άκρων	Δεν επιτρέπεται (μήκος και πλάτος≥0,5mm)
Εσοχές	Δεν επιτρέπεται
Γρατσουνιές (Si-Face)	Ποσ.≤5,Σωρευτικό Μήκος≤0,5×διάμετρος γκοφρέτας	Ποσ.≤5,Σωρευτικό Μήκος≤0,5×διάμετρος γκοφρέτας			Ποσ.≤5,Σωρευτικό Μήκος≤0,5×διάμετρος γκοφρέτας
Ρωγμές	Δεν επιτρέπεται
Εξαίρεση άκρων	3 χιλιοστά