SiC verfügt über hervorragende physikalische und chemische Eigenschaften wie hohen Schmelzpunkt, hohe Härte, Korrosionsbeständigkeit und Oxidationsbeständigkeit. Insbesondere im Bereich von 1800–2000 °C weist SiC eine gute Ablationsbeständigkeit auf. Daher hat es breite Anwendungsaussichten in der Luft- und Raumfahrt, Waffenausrüstung und anderen Bereichen. SiC selbst kann jedoch nicht verwendet werdeneine StrukturMaterial,Daher wird das Beschichtungsverfahren normalerweise verwendet, um seine Verschleißfestigkeit und Ablationsbeständigkeit zu nutzence.
Siliziumkarbid(SIC) Halbleitermaterial ist die dritte GenerationeMikroleitermaterial, das nach dem Elementhalbleitermaterial der ersten Generation (Si, GE) und dem Verbindungshalbleitermaterial der zweiten Generation (GaAs, Gap, InP usw.) entwickelt wurde. Als Halbleitermaterial mit großer Bandlücke weist Siliziumkarbid die Eigenschaften einer großen Bandlückenbreite, einer hohen Durchbruchfeldstärke, einer hohen Wärmeleitfähigkeit, einer hohen Trägersättigungsdriftgeschwindigkeit, einer kleinen Dielektrizitätskonstante, einer starken Strahlungsbeständigkeit und einer guten chemischen Stabilität auf. Es kann zur Herstellung verschiedener Hochfrequenz- und Hochleistungsgeräte mit hoher Temperaturbeständigkeit verwendet werden und kann in Fällen eingesetzt werden, in denen Siliziumgeräte inkompetent sind oder den Effekt erzeugen, dass Siliziumgeräte in allgemeinen Anwendungen schwer herzustellen sind.
Hauptanwendung: Wird zum Drahtschneiden von 3–12 Zoll dickem monokristallinem Silizium, polykristallinem Silizium, Kaliumarsenid, Quarzkristall usw. verwendet. Technische Verarbeitungsmaterialien für die Solar-Photovoltaik-Industrie, Halbleiterindustrie und piezoelektrische Kristallindustrie.Verwendet inHalbleiter, Blitzableiter, Schaltkreiselement, Hochtemperaturanwendung, UV-Detektor, Strukturmaterial, Astronomie, Scheibenbremse, Kupplung, Dieselpartikelfilter, Filamentpyrometer, Keramikfolie, Schneidwerkzeug, Heizelement, Kernbrennstoff, Schmuck, Stahl, Schutzausrüstung, Katalysatorunterstützung und andere Bereiche
Zeitpunkt der Veröffentlichung: 17. Februar 2022