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  • BJT, CMOS, DMOS und andere Halbleiterprozesstechnologien

    BJT, CMOS, DMOS und andere Halbleiterprozesstechnologien

    Willkommen auf unserer Website für Produktinformationen und Beratung. Unsere Website: https://www.vet-china.com/ Da Halbleiterherstellungsprozesse weiterhin bahnbrechende Fortschritte erzielen, kursiert in der Branche eine berühmte Aussage namens „Moores Gesetz“. Es war p...
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  • Halbleiterstrukturierungsprozess durch Fließätzen

    Halbleiterstrukturierungsprozess durch Fließätzen

    Die frühe Nassätzung förderte die Entwicklung von Reinigungs- oder Veraschungsprozessen. Heutzutage ist das Trockenätzen mit Plasma das gängige Ätzverfahren. Plasma besteht aus Elektronen, Kationen und Radikalen. Die dem Plasma zugeführte Energie bewirkt, dass die äußersten Elektronen des Plasmas entstehen.
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  • Forschung zum 8-Zoll-SiC-Epitaxieofen und Homoepitaxieverfahren-Ⅱ

    Forschung zum 8-Zoll-SiC-Epitaxieofen und Homoepitaxieverfahren-Ⅱ

    2 Experimentelle Ergebnisse und Diskussion 2.1 Dicke und Gleichmäßigkeit der Epitaxieschicht Dicke, Dotierungskonzentration und Gleichmäßigkeit der Epitaxieschicht sind einer der Kernindikatoren für die Beurteilung der Qualität epitaktischer Wafer. Präzise kontrollierbare Dicke, Dotierungsko...
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  • Forschung zum 8-Zoll-SiC-Epitaxieofen und Homoepitaxieverfahren-Ⅰ

    Forschung zum 8-Zoll-SiC-Epitaxieofen und Homoepitaxieverfahren-Ⅰ

    Derzeit wandelt sich die SiC-Industrie von 150 mm (6 Zoll) auf 200 mm (8 Zoll). Um den dringenden Bedarf der Industrie an großen, hochwertigen SiC-Homöepitaxiewafern zu decken, wurden 150 mm und 200 mm große 4H-SiC-Homöepitaxiewafer erfolgreich auf dem Markt hergestellt.
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  • Optimierung der Porenstruktur von porösem Kohlenstoff -Ⅱ

    Optimierung der Porenstruktur von porösem Kohlenstoff -Ⅱ

    Willkommen auf unserer Website für Produktinformationen und Beratung. Unsere Website: https://www.vet-china.com/ Physikalische und chemische Aktivierungsmethode Die physikalische und chemische Aktivierungsmethode bezieht sich auf die Methode zur Herstellung poröser Materialien durch Kombination der beiden oben genannten Aktivitäten...
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  • Optimierung der Porenstruktur von porösem Kohlenstoff-Ⅰ

    Optimierung der Porenstruktur von porösem Kohlenstoff-Ⅰ

    Willkommen auf unserer Website für Produktinformationen und Beratung. Unsere Website: https://www.vet-china.com/ Dieses Papier analysiert den aktuellen Aktivkohlemarkt, führt eine eingehende Analyse der Rohstoffe von Aktivkohle durch und stellt die Porenstruktur vor ...
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  • Halbleiterprozessablauf-Ⅱ

    Halbleiterprozessablauf-Ⅱ

    Willkommen auf unserer Website für Produktinformationen und Beratung. Unsere Website: https://www.vet-china.com/ Ätzen von Poly und SiO2: Danach wird das überschüssige Poly und SiO2 weggeätzt, also entfernt. Zu diesem Zeitpunkt wird gerichtetes Ätzen verwendet. In der Klassifizierung...
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  • Halbleiterprozessablauf

    Halbleiterprozessablauf

    Man kann es auch verstehen, wenn man noch nie Physik oder Mathematik studiert hat, aber es ist etwas zu einfach und für Anfänger geeignet. Wenn Sie mehr über CMOS erfahren möchten, müssen Sie den Inhalt dieser Ausgabe lesen, denn erst nachdem Sie den Prozessablauf verstanden haben (d. h. ...)
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  • Quellen der Kontamination und Reinigung von Halbleiterwafern

    Quellen der Kontamination und Reinigung von Halbleiterwafern

    Für die Herstellung von Halbleitern sind einige organische und anorganische Substanzen erforderlich. Da der Prozess außerdem stets in einem Reinraum unter menschlicher Beteiligung durchgeführt wird, kommt es zwangsläufig zu einer Kontamination der Halbleiterwafer durch verschiedene Verunreinigungen. Entsprechend...
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