Grafitová půlměsícová část potažená SiCis a klíčsoučást používaná v procesech výroby polovodičů, zejména pro epitaxní zařízení SiC.K výrobě půlměsícové části používáme naši patentovanou technologiiextrémně vysoká čistota,dobrýpovlakjednotnosta vynikající životnost, stejně jakovysoká chemická odolnost a tepelná stabilita.
VET Energy je askutečný výrobce přizpůsobených produktů z grafitu a karbidu křemíku s CVD povlakem,může dodatrůznézakázkové díly pro polovodičový a fotovoltaický průmysl. Ováš technický tým pochází ze špičkových domácích výzkumných institucí, může poskytnout profesionálnější materiálová řešenípro vás.
Neustále vyvíjíme pokročilé procesy, abychom poskytovali pokročilejší materiály,avyvinuli exkluzivní patentovanou technologii, díky které je spojení mezi povlakem a substrátem těsnější a méně náchylné k odlepení.
Fvlastnosti našich produktů:
1. Vysoká teplotní odolnost proti oxidaci až do 1700℃.
2. Vysoká čistota atepelná rovnoměrnost
3. Vynikající odolnost proti korozi: kyselinám, zásadám, solím a organickým činidlům.
4. Vysoká tvrdost, kompaktní povrch, jemné částice.
5. Delší životnost a odolnější
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Základní fyzikální vlastnosti CVD SiCpovlak | |
| 性质 / Nemovitosti | 典型数值 / Typická hodnota |
| 晶体结构 / Krystalová struktura | FCC β fáze多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Hustota | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Tvrdost | 2500 维氏硬度（500g náplň） |
| 晶粒大小 / Velikost zrna | 2~10μm |
| 纯度 / Chemická čistota | 99,99995 % |
| 热容 / Tepelná kapacita | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Teplota sublimace | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Pevnost v ohybu | 415 MPa RT 4-bod |
| 杨氏模量 / Youngův modul | Ohyb 430 Gpa 4pt, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermalVodivost | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Tepelná expanze (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Srdečně vás vítáme k návštěvě naší továrny, pojďme dále diskutovat!
