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Introduzione à a terza generazione di semiconductor GaN è a tecnulugia epitassiale ligata
1. Semicondutturi di terza generazione A tecnulugia di semiconductor di prima generazione hè stata sviluppata basatu annantu à materiali semiconduttori cum'è Si è Ge. Hè a basa materiale per u sviluppu di transistors è tecnulugia di circuiti integrati. I materiali semiconductori di prima generazione anu stabilitu u ...Leghjite più -
Studiu di simulazione numerica nantu à l'effettu di u grafite poroso nantu à a crescita di cristalli di carburu di siliciu
U prucessu di basa di a crescita di cristalli SiC hè divisu in a sublimazione è a descomposizione di materie prime à alta temperatura, u trasportu di sustanzi in fase di gasu sottu à l'azzione di u gradiente di temperatura, è a crescita di recristalizazione di sustanzi in fase di gas à u cristallu di sumente. Basatu nantu à questu, u ...Leghjite più -
Tipi di grafite speciale
U grafitu speciale hè un materiale di grafite d'alta purezza, alta densità è alta resistenza è hà una eccellente resistenza à a corrosione, stabilità à alta temperatura è una grande conduttività elettrica. Hè fattu di grafite naturali o artificiale dopu un trattamentu termale à alta temperatura è un prucessu d'alta pressione ...Leghjite più -
Analisi di l'equipaggiu di deposizione di film sottile - i principii è l'applicazioni di l'equipaggiu PECVD/LPCVD/ALD
A deposizione di film sottile hè di rivesti una strata di film nantu à u materiale di sustrato principale di u semiconductor. Stu filmu pò esse fattu di diversi materiali, cum'è diossidu di siliciu compostu insulating, polysilicon semiconductor, cobre di metallu, etc. L'equipaggiu utilizatu per u revestimentu hè chjamatu depositu di film sottile ...Leghjite più -
Materiali impurtanti chì determinanu a qualità di a crescita di silicium monocristalina - campu termale
U prucessu di crescita di silicium monocristalinu hè cumpletamente realizatu in u campu termale. Un bonu campu termale hè favurèvule à migliurà a qualità di i cristalli è hà una efficienza di cristallizazione più altu. U disignu di u campu termale determina largamente i cambiamenti in i gradienti di temperatura ...Leghjite più -
Chì sò e difficultà tecniche di u furnace di crescita di cristalli di carburu di siliciu?
U furnace di crescita di cristalli hè l'equipaggiu core per a crescita di cristalli di carburu di siliciu. Hè simile à u furnace di crescita di cristalli di qualità di silicium cristalline tradiziunale. A struttura di u furnace ùn hè micca assai complicata. Hè cumpostu principalmente di corpu di furnace, sistema di riscaldamentu, mecanismu di trasmissione di bobina ...Leghjite più -
Chì sò i difetti di a capa epitaxial di carburu di siliciu
A tecnulugia di u core per a crescita di materiali epitassiali SiC hè prima a tecnulugia di cuntrollu di difetti, in particulare per a tecnulugia di cuntrollu di difetti chì hè propensa à fallimentu di u dispositivu o degradazione di affidabilità. U studiu di u mecanismu di difetti di sustrato chì si estendenu in l'epi ...Leghjite più -
Oxidized standing grain and epitaxial growth technology-Ⅱ
3. Epitaxial thin film growth U sustrato furnisce una strata di supportu fisicu o una capa conductiva per i dispositi di putenza Ga2O3. U prossimu stratu impurtante hè a strata di canali o strata epitaxial utilizata per a resistenza di tensione è u trasportu di trasportu. Per aumentà a tensione di rottura è minimizzà a conduzzione ...Leghjite più -
Tecnulugia di crescita di l'ossidu di Gallium unicu cristallu è epitaxial
I semiconduttori a banda larga (WBG) rapprisentati da u carburu di siliciu (SiC) è u nitruru di gallium (GaN) anu ricivutu una grande attenzione. A ghjente hà grandi aspettative per e prospettive di applicazione di carburu di siliciu in veiculi elettrici è reti di energia, è ancu per e prospettive di applicazione di galiu ...Leghjite più
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