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Applicazione di ceramica di carburu di siliciu in u campu di i semiconduttori
da admin u 24-10-10
U materiale preferitu per e parti di precisione di e macchine di fotolitografia In u campu di i semiconduttori, i materiali ceramici di carburu di siliciu sò principarmenti usati in l'equipaggiu chjave per a fabricazione di circuiti integrati, cum'è a tavola di travagliu di carburu di siliciu, guide, riflettori, mandrini di aspirazione ceramica, braccia, g...
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0 Chì sò i sei sistemi di una sola furnace di cristallu
da admin u 24-09-23
Un furnace di cristalli unicu hè un dispositivu chì usa un riscaldatore di grafite per fonde materiali di siliciu policristalinu in un ambiente di gas inerte (argon) è usa u metudu Czochralski per cultivà cristalli unichi non dislocati. Hè cumpostu principalmente di i seguenti sistemi: Meccanicu ...
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Perchè avemu bisognu di grafite in u campu termale di u fornu di cristallo unicu
da admin u 24-09-23
U sistema termale di u furnace di cristallo unicu verticale hè ancu chjamatu campu termale. A funzione di u sistema di campu termale di grafite si riferisce à u sistema tutale per a fusione di materiali di siliciu è mantene a crescita di cristalli unichi à una certa temperatura. Simply put, hè un grap cumpletu ...
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Diversi tipi di prucessi per u taglio di wafer di semiconductor di potenza
da admin u 24-09-20
U taglio di wafer hè unu di i ligami impurtanti in a produzzione di semiconduttori di putere. Stu passu hè pensatu per separà accuratamente circuiti integrati individuali o chips da i wafers di semiconductor. A chjave per u tagliu di wafer hè di pudè separà chips individuali mentre assicurendu chì a struttura delicata ...
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prucessu BCD
da admin u 24-09-18
Chì ghjè u prucessu BCD? U prucessu BCD hè una tecnulugia di prucessu integrata à un chip chì prima introdutte da ST in 1986. Sta tecnulugia pò fà i dispositi bipolari, CMOS è DMOS nantu à u stessu chip. U so aspettu reduce assai l'area di u chip. Si pò dì chì u prucessu BCD utilizeghja cumplettamente u ...
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BJT, CMOS, DMOS è altre tecnulugia di prucessu di semiconductor
da admin u 24-09-10
Benvenuti à u nostru situ web per infurmazione è cunsultazione di u produttu. U nostru situ web: https://www.vet-china.com/ Siccomu i prucessi di fabricazione di semiconductor cuntinueghjanu à fà scopre, una famosa dichjarazione chjamata "Legge di Moore" hè stata circulata in l'industria. Era p...
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Prucessu di modellazione di semiconduttori incisione in flussu
da admin u 24-09-10
L'incisione umida precoce hà prumuvutu u sviluppu di i prucessi di pulizia o di cenere. Oghje, l'incisione secca cù plasma hè diventata u prucessu di incisione mainstream. U plasma hè custituitu di elettroni, cationi è radicali. L'energia applicata à u plasma provoca l'elettroni più esterni di t...
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Ricerche nantu à u furnace epitaxial SiC 8-inch è prucessu omoepitaxial-Ⅱ
da admin u 24-09-04
2 Risultati sperimentali è discussione 2.1 Spessore di strati epitassiali è uniformità Spessore di strati epitassiali, cuncentrazione di doping è uniformità sò unu di i principali indicatori per ghjudicà a qualità di wafers epitassiali. Spessore cuntrullabile accuratamente, co doping ...
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Ricerche nantu à u furnace epitaxial SiC 8-inch è u prucessu omoepitaxial-Ⅰ
da admin u 24-09-04
Attualmente, l'industria SiC si trasforma da 150 mm (6 inches) à 200 mm (8 inches). Per risponde à a dumanda urgente di wafers omoepitassiali SiC di grande dimensione è di alta qualità in l'industria, i wafers omoepitassiali 4H-SiC di 150 mm è 200 mm sò stati preparati cù successu in ...
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