Carbure di Siliciuhè un compostu duru chì cuntene siliciu è carbone, è si trova in natura cum'è moissanite minerale estremamente raru. I particeddi di carburu di siliciu ponu esse uniti inseme da a sinterizzazione per furmà ceramica assai dura, chì sò largamente usate in applicazioni chì necessitanu una alta durabilità, in particulare in prucessione di semiconductor.
Struttura fisica di SiC
Cos'è SiC Coating?
U revestimentu SiC hè un revestimentu di carburu di siliciu densu è resistente à l'usura cù alta resistenza à a corrosione è à u calore è una eccellente conduttività termica. Stu revestimentu SiC d'alta purezza hè principalmente utilizatu in l'industria di i semiconduttori è di l'elettronica per prutege i trasportatori di wafer, basi è elementi riscaldanti da ambienti corrosivi è reattivi. U revestimentu di SiC hè ancu adattatu per i forni di vacuum è u riscaldamentu di campioni in ambienti di vacuum altu, reattivi è di ossigenu.
Superficie di rivestimentu SiC di alta purezza
Chì ghjè u prucessu di rivestimentu SiC?
Una fina capa di carburu di siliciu hè dipositu nantu à a superficia di u sustrato usenduCVD (deposizione chimica di vapore). A deposizione hè generalmente realizata à temperature di 1200-1300 ° C è u cumpurtamentu di espansione termale di u materiale di sustrato deve esse cumpatibile cù u revestimentu SiC per minimizzà u stress termicu.
CVD SIC Coating FILM CRYSTAL STRUCTURE
E proprietà fisiche di u revestimentu SiC sò principarmenti riflesse in a so resistenza à alta temperatura, durezza, resistenza à a corrosione è conduttività termale.
I paràmetri fisichi tipici sò generalmente i seguenti:
Durezza: U rivestimentu SiC tipicamente anu una durezza Vickers in a gamma di 2000-2500 HV, chì li dà una resistenza estremamente alta à l'usura è à l'impattu in applicazioni industriali.
Densità: I rivestimenti SiC sò tipicamente una densità di 3,1-3,2 g/cm³. L'alta densità cuntribuisce à a forza meccanica è a durabilità di u revestimentu.
Conduttività termica: I rivestimenti SiC anu una alta conductività termale, tipicamente in a gamma di 120-200 W/mK (à 20 ° C). Questu li dà una bona conduttività termale in ambienti à alta temperatura è u face particularmente adattatu per l'equipaggiu di trattamentu termale in l'industria di i semiconduttori.
Puntu di fusione: le carbure de silicium a un point de fusion d'environ 2730°C et une excellente stabilité thermique à des températures extrêmes.
Coefficient of Thermal Expansion: I rivestimenti SiC anu un bassu coefficientu lineare di espansione termica (CTE), tipicamente in a gamma di 4,0-4,5 µm/mK (in u 25-1000 ℃). Questu significa chì a so stabilità dimensionale hè eccellente nantu à e grandi diffirenzi di temperatura.
Resistenza à a corrosione: I rivestimenti SiC sò estremamente resistenti à a corrosione in ambienti acidi forti, alkali è ossidanti, soprattuttu quandu si usanu acidi forti (cum'è HF o HCl), a so resistenza à a corrosione supera di granu quella di i materiali metallichi convenzionali.
I rivestimenti SiC ponu esse applicati à i seguenti materiali:
Grafite isostaticu di alta purezza (bassu CTE)
Tungsten
Molibdenu
Carbure di Siliciu
Nitruru di Siliciu
Composite Carbon-Carbon (CFC)
I prudutti rivestiti di SiC sò cumunimenti usati in i seguenti spazii:
Pruduzzione di chip LED
Pruduzzione di polisilicu
Semiconductorcrescita di cristalli
Siliciu èepitassi SiC
Trattamentu termicu di wafer è incisione
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Tempu di pubblicazione: 18-10-2024