vet-china assicura chì ogni DurablePalette de manipulation des wafers en carbure de siliciumhà prestazioni eccellenti è durabilità. Questa paleta di manipulazione di wafer di carburu di siliciu utilizza prucessi di fabricazione avanzati per assicurà chì a so stabilità strutturale è a so funziunalità restanu in ambienti di alta temperatura è corrosione chimica. Stu disignu innovativu furnisce un supportu eccellente per a manipulazione di wafer di semiconductor, in particulare per operazioni automatizate d'alta precisione.
SiC Cantilever Paddlehè un cumpunente specializatu utilizatu in l'equipaggiu di fabricazione di semiconductor cum'è u furnace d'ossidazione, u furnace di diffusione è u furnace di annealing, l'usu principale hè di carica è scaricamentu di wafer, supporta è trasporta wafers durante i prucessi à alta temperatura.
Strutture cumunidiSiCcantileverpadu: una struttura in cantilever, fissata à una estremità è libera à l'altru, tipicamente hà un disignu pianu è paddle-like.
U travagliuprincipuludiSiCcantileverpadu:
U cantilever paddle pò muvimenti su è giù o avanti è avanti in a camera di furnace, si pò esse usata à spustà wafers da i lochi di carica à i lochi di trasfurmazioni, o fora di i lochi di trasfurmazioni, sustegnu è stabilizzà i wafers durante u processu à alta temperatura.
Proprietà fisiche di Carburo di Siliciu Recristallizatu | |
Pruprietà | Valore tipicu |
Température de travail (°C) | 1600 ° C (cù l'ossigenu), 1700 ° C (ambienti riduzzione) |
cuntenutu SiC | > 99,96% |
Cuntinutu Si gratuitu | < 0,1% |
Densità di massa | 2,60-2,70 g/cm3 |
Porosità apparente | < 16% |
Forza di cumpressione | > 600 MPa |
Forza di curvatura à freddo | 80-90 MPa (20°C) |
Forza di curvatura calda | 90-100 MPa (1400 ° C) |
Dilatazione termica @ 1500 ° C | 4,70 10-6/°C |
Conduttività termica @ 1200 ° C | 23 W/m•K |
Modulu elasticu | 240 GPa |
Resistenza di scossa termale | Moltu bè |
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