Sustrato di grafite rivestitu di carburu di silicium per semiconductor, susceptor MOCVD

Substratu di Grafite Rivestitu di Carburu di Siliciu per Semiconductor, MocVD Susceptor Featured Image

Descrizione breve:

VET Energy SiC Coated Susceptor hè un pruduttu d'altu rendiment cuncepitu per furnisce un rendimentu coherente è affidabile per un periudu allargatu. Hè super bona resistenza à u calore è uniformità termale, alta purezza, resistenza à l'erosione, facendu a suluzione perfetta per l'applicazioni di trasfurmazioni di wafer.

Locu d'origine:Zhejiang, Cina (continentale)

Numero di mudellu:Numero di mudellu:

Composizione chimica:Grafite rivestito di SiC

Forza à flessione:470 Mpa

Conduttività termica:300 W/mK

Qualità:Parfetta

Funzione:CVD-SiC

Applicazione:Semicondutturi / Fotovoltaicu

Densità:3,21 g/cc

Dilatazione termica:4 10-6/K

Ash: < 5 ppm

Esempiu:Disponibile

Codice HS:6903100000

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Detail di u produttu

Tags di u produttu

VET Energy SiC Coated Susceptorhè una soluzione d'altu rendimentu meticulosamente creata per furnisce un rendimentu affidabile è coerente in una vita estesa, risponde à e rigorose esigenze di a fabricazione di semiconduttori. Dotatu di resistenza eccezziunale à u calore, uniformità termica superiore è alta purezza, stu pruduttu hè ideale per i trasportatori di wafer MOCVD è altre applicazioni di trasfurmazioni di wafer chì necessitanu stabilità è precisione. A so robusta resistenza à l'erosione face una scelta premium per ambienti induve a durabilità è a resistenza chimica sò essenziali.

I nostriSusceptor di grafite rivestitu di SiCsi trova cum'è un cumpunente criticu in u prucessu di fabricazione di semiconduttori, sfruttendu a tecnulugia patentata esclusiva di VET Energy per ottene una purezza estremamente alta, uniformità di rivestimentu superiore è stabilità termica notevole. U revestimentu aumenta u sustrato di grafite cù una alta resistenza chimica è una vita di serviziu significativamente estesa. A dedizione di VET Energy à a qualità hà risultatu in un susceptor rivestitu di SiC chì risponde à i bisogni in evoluzione di u mercatu di trasportatori di wafer di grafite, stabilendu un standard elevatu per i suscettori di grafite rivestiti di SiC utilizati inProcessi MOCVD.

Caratteristiche principali di i suscettori rivestiti di SiC:

1. Resistenza à l'ossidazione à alta temperatura:Sopporta temperature finu à 1700 ℃, facendu adattatu per e cundizioni di trasfurmazioni estreme.

2. Alta Purità è Uniformità Termale:Assicura risultati coerenti, vitali persuscettori MOCVDè altre applicazioni di precisione.

3. Eccellente resistenza à a corrosione:Resiliente à l'acidu, l'alkali, u sali è parechji reagenti organici.

4. Durezza Superficia Enhanced:Superficie compatta cù particelle fini chì furnisce una durabilità è longevità più altu.

5. Vita di serviziu estesa:Ingegneria per un rendimentu sustinutu, superando i suscettori standard rivestiti di carburu di siliciu in ambienti di trasfurmazioni duri.

Cum'è un fabricatore di punta, VET Energy hè specializatu in grafite persunalizatu èprudutti di carburu di siliciucù diverse opzioni di rivestimentu, cumpreseRivestimentu SiC, Rivestimentu TaC, rivestimentu di carbone vetru, è revestimentu di carbone piroliticu. Servemu orgogliosi l'industrii di i semiconduttori è fotovoltaici, offrendu suscettori di grafite rivestiti di carburu di siliciu chì rispondenu à esigenze operative specifiche.

A nostra squadra tecnica, cù l'esperienza di i migliori istituzioni di ricerca naziunali, hè dedicata à avanzà suluzioni materiali per i bisogni in evoluzione di uSusceptor di grafite rivestitu di SiCmercatu. Attraversu u nostru prucessu patentatu, VET Energy hà sviluppatu una tecnulugia unica chì migliora significativamente a forza di legame trà u revestimentu di carburu di siliciu è u sustrato, riducendu u risicu di staccamentu è aumentendu l'affidabilità à longu andà.

Applicazioni è Vantaghji in u Trattamentu Semiconductor

URivestimentu SiC per MOCVDpermettesuscettore di grafitecumpunenti per mantene l'integrità in ambienti à alta temperatura è corrosivu, chì hè vitale per a produzzione di semiconductor di precisione. Questi cumpunenti di grafite rivestiti di SiC sò particularmente apprezzati in i prucessi chì necessitanu suscettori rivestiti di carburu di siliciu pertrasportatori di wafer di grafite, chì esigenu alta stabilità termale, purezza è resistenza à l'erosione chimica.

Cù e nostre tecniche avanzate di rivestimentu di carburu di siliciu, VET Energy cuntinueghja à sustene u mercatu di trasportatori di wafer di grafite offrendu persunalizatu, altu rendiment.Suscettori di grafite rivestiti di SiCchì affrontanu e sfide specifiche di l'industria, da i prucessi MOCVD à l'applicazioni di alta purezza in u campu di i semiconduttori.